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JS28F256M29EWLB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: JS28F256M29EWLB
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内容描述: 并行NOR闪存的嵌入式存储器 [Parallel NOR Flash Embedded Memory]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 75 页 / 855 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB,512MB , 1GB,2GB : 3V嵌入式并行NOR闪存
方案业务
图10 :写缓冲程序流程图如图
开始
写缓冲
命令,
块地址
写缓冲
确认,块地址
写N,
1
块地址
写缓冲区的数据,
起始地址
前三个周期
写缓冲
程序命令
读状态寄存器
( DQ1 , DQ5 , DQ7 )在
最后加载的地址
DQ7 =数据
No
是的
X = N
No
DQ1 = 1
No
DQ5 = 1
是的
检查状态寄存器
( DQ5 , DQ7 )在
最后加载的地址
X=0
No
退出
写缓冲
No
写入下一个数据,
3
项目地址对
是的
是的
是的
写一个不同的
块地址
DQ7 =数据
4
No
失败或
退出
5
结束
是的
写缓冲
和节目
中止
2
X=X-1
注意事项:
1.
n + 1
是要被编程的地址数。
2.缓冲的程序中止和重置命令必须发出返回DE-
副读取模式。
3.当指定的块地址时,在所选择的块的地址空间中的任何地址是
可以接受的。然而,随着数据加载程序的缓冲区地址的时候,所有的地址
必须落在所选程序缓存页面。
4. DQ7必须检查,因为DQ5和DQ7可能会同时改变。
5.如果此流程图位置达到,因为DQ5 = 1,则写入缓冲区内
GRAM命令失败。如果该流程图位置到达因为DQ1 = 1,则
写缓冲程序命令中止。在这两种情况下,适当的复位
命令必须发出归还该设备读取模式:复位命令,如果
操作失败;一个写缓冲程序异常终止,并且如果操作复位命令
关合作中止。
6.看到标准的命令定义 - 地址 - 数据周期, 8位和16位表
有关详细信息,写缓冲程序命令序列。
解锁绕道写缓冲程序命令
当设备处于解锁旁路模式时,解锁绕道写缓冲
( 25小时)命令可以被用来在设备中快速编程模式编程。该公
PDF : 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - 版本B 8/12 EN
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