恒忆
TM
地层佛罗里达州灰
®
嵌入式存储器
(P33-65nm)
256兆位， 512兆位（ 256M / 256M ）
数据表
产品特点
高性能：
- 95ns ，方便BGA初始访问时间
- 105ns的TSOP初次访问时间
- 25ns的16字异步页读
模式
- 52MHz的零等待状态，为17ns时钟用于─
数据输出同步突发读取模式
- 4-， 8-，16- ，和连续Word选项
突发模式
- 在缓冲增强工厂编程
2.0MByte /秒（典型值），使用512个字的缓冲区
- 在1.5MByte / s的3.0V缓冲编程
（典型值）用512字缓冲区
架构：
- 多级单元技术：最高
密度最低的成本
- 非对称封闭架构
- 四个32 - K字节的参数块：顶部或
底部结构
- 128 KB的主要模块
- 空白检查，以验证擦除块
电压和功率：
— V
CC
（核心）电压： 2.3 V - 3.6 V
— V
CCQ
（ I / O）电压： 2.3 V - 3.6 V
- 待机电流的65uA （典型值）为256兆位
- 连续同步读取电流： 21
毫安（典型值） / 24 MA（最大）在52兆赫
安全性：
- 一次性可编程寄存器：
• 64唯一的工厂的设备标识符位
• 2112的用户可编程OTP位
—
—
—
—
—
绝对的写保护： V
PP
= V
SS
电源转换擦除/编程锁定
个别零延迟块锁定
单个块锁断功能
密码访问功能
软件：
- 为20μs （典型值）计划暂停
- 为20μs （典型值）擦除暂停
- 恒忆™闪存数据集成优化
- 基本命令集和扩展功能
接口命令集兼容
- 通用闪存接口能够
密度和包装
- 56引脚TSOP封装（ 256兆位只）
- 64 - 易球BGA封装（ 256 ， 512兆位）
- 16位宽的数据总线
质量和可靠性
- 工作温度： -40°C至+85°C
- 每块最少100,000次擦除周期
- 65纳米ETOX ™ X工艺技术
数据表
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2009年8月
订单号： 320003-08
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
