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JS28F640P30TF75A 参数 Datasheet PDF下载

JS28F640P30TF75A图片预览
型号: JS28F640P30TF75A
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内容描述: Numonyx® Axcellâ ?? ¢ P30-65nm闪存 [Numonyx® Axcell™ P30-65nm Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 90 页 / 1194 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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恒忆
®
Axcell ™ P30-65nm闪存
128兆,每单元64 - Mbit的单位( SBC )
数据表
产品特点
高性能:
- 65ns ,方便BGA和初始访问时间
QUAD +
- 75ns的TSOP初次访问时间
- 25ns的8字异步页读模式
- 52MHz的零等待状态,为17ns时钟用于─
数据输出同步突发读取模式
- 4位,8位,16位和连续的字选择
突发模式
- 1.8V低功耗缓冲编程的
1.8MByte/s
(典型值)用256字缓冲区
- 在缓冲增强工厂编程
3.2MByte /秒(典型值),使用256个字的缓冲区
增强的安全性:
绝对的写保护: VPP = VSS
电源转换擦除/编程锁定
个别零延迟块锁定
单个块锁断功能
密码访问功能
一次性可编程寄存器:
- 64 OTP位,编程的独特
由恒忆信息
- 2112 OTP位,可供客户
程序设计
软件:
20µs
( TYP )计划暂停
20µs
( TYP )擦除暂停
- 基本命令集和扩展功能
接口(EFI )命令集兼容
- 通用闪存接口能够
架构:
- 非对称封闭架构
- 四个32 - K字节的参数块:顶部或
底部结构
- 128 K字节数组块
- 空白检查,以核实擦除块
密度和包装:
56引脚TSOP ( 128兆, 64兆)
64易球BGA( 128兆, 64兆)
88球QUAD +包( 128兆)
16位宽的数据总线
JESD47E标准
工作温度: -40℃ 〜+ 85℃
最少100,000次擦写循环
65nm工艺技术
电压和功率:
VCC (核心)电压: 1.7V - 2.0V
VCCQ ( I / O)电压: 1.7V - 3.6V
待机电流: 30μA (典型值) / 55μA (最大值)
连续同步读取电流: 23毫安
(典型值) / 28毫安(最大) ,在52MHz的
质量和可靠性:
数据表
1
2010年4月
订单号: 208033-02