P30-65nm SBC
读SR命令（ 70小时） ，这将通过内部状态机器被解释为
缓冲区字数。
在下一个写，一个字计数被写入到设备的缓冲器地址。这告诉
该设备有多少个数据字将被写入到缓冲器中，直到达到最大大小
的缓冲液中。
在下一个写，一个设备开始地址与要被写入的第一数据给出沿
到快闪存储器阵列。后续写入提供额外的设备地址和
数据。所有的数据地址必须位于起始地址加上字数。
最佳的编程性能和更低的耗电量是通过调整获得
起始地址为256字边界开始（ A [ 8 ： 1 ] = 0×00） 。
注意：
如果缓冲的节目，在节目中发出不对齐的地址范围
区域也必须是256字对齐的边界之内。
在最后一个数据写入到所述缓冲器时，缓冲编程确认命令
必须发出到原来的块地址。在WSM开始编写缓冲区
内容发送到快闪存储器阵列。如果在写入到所述阵列中发生错误，则
装置停止编程，和SR [ 7,4 ]被置位，指示一个编程失败。
当缓冲编程完成后，额外的缓冲区写入可以通过启动
发出另一个缓冲编程设置命令，并重复缓冲
程序顺序。缓冲编程可与VPP = V进行
PPL
或V
PPH
（见
为限制操作时，
该装置与VPP = V
PPH
).
如果试图在过去使用BUFFERED擦除块边界进行编程
程序指令，该设备将中止该操作。这会产生一个命令
序错误，和SR [ 5,4 ]被设置。
如果缓冲编程时试图VPP处于或低于V
PPLK
， SR [ 4,3 ]中设置。
如果检测到任何错误设置状态寄存器的位，状态寄存器应
使用清除状态寄存器命令清除。
8.3
缓冲增强工厂编程
缓冲增强工厂编程（ BEFP ）加快闪存编程
perforamnce 。在BEFP使用增强的编程算法消除了传统
推动了开销在设备编程系统编程元素。
BEFP由三个阶段组成：安装，编程/校验，并退出（见
它采用了写缓冲区传播这项计划表现
跨越256个数据字。验证发生在以相同的相位的编程
准确地编程快速存储单元的正确位状态。
单一双周期指令序列的程序数据的整个块。这
增强使得每个缓冲区3个写周期：两个命令和字
计数每组256个数据字。主机程序员总线周期填补了设备的写
缓冲后跟一个状态检查。 SR.0指示何时从缓冲器的数据已经被
编入连续的快闪存储器阵列的位置。
以下所述缓冲器到闪存阵列的编程顺序中，写状态机
（ WSM ）递增内部寻址，自动选择下一个256字阵
边界。 BEFP的这一方面节省了主机的编程设备的地址总线
设置开销。
有了充足的连续性测试，编程设备可以依靠WSM的
内部核查，以确保设备已正确编程。这消除
外部后程序验证和其相关联的开销。
数据表
25
2010年4月
订单号： 208033-02
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
