美光M25P40串行闪存的嵌入式存储器
功能说明
功能说明
该M25P40是的4Mb ( 512KB ×8 )串行闪存具有先进的直写设备
通过高速SPI兼容总线访问的保护机制。该设备支持
时钟频率端口高性能命令高达75MHz的。
该存储器可以被编程为1〜 256个字节在一个时间使用页面编程
命令。它是作为8个扇区,每个包含256页。每一页是256
宽字节。
整个存储器可使用BULK删除命令被删除,或者它可以被擦除
一个扇区的时间使用扇区擦除命令。
本数据表中详细介绍了M25P40装置的基础上,功能任
150nm的处理,或者在当前110nm工艺。在110纳米的最当前的设备
方法具有以下附加功能且完全向后兼容
与150nm的设备:
•最大频率(读数据字节以更快的速度运行)在待机动
ARD V
CC
范围2.7V至3.6V等于75MHz的
•最大频率(读数据字节以更快的速度运行)在exten-
DED V
CC
范围2.3V至2.7V等于40MHz的
• UID / CFD保护功能
注意:
75MHz的操作仅在V
CC
范围2.7V至3.6V和110nm工艺
技术设备,确定了工艺鉴定位数
4
在设备标识
和过程信
B
在器件型号。
图1 :逻辑图
VCC
DQ0
C
S#
W#
HOLD #
DQ1
VSS
PDF : 09005aef8456654f
m25p40.pdf - 牧师ÿ 8/12 EN
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