128MB 3V嵌入式并行NOR闪存
设备保护
设备保护
硬件保护
在V
PP
/ WP ＃功能提供保护的最高或最低的硬件方法
块。当V
PP
/ WP ＃为低，编程和擦除操作在其中任一
块将被忽略，以提供保护。当V
PP
/ WP＃为高电平时，器件将恢复
以前的保护状态为最高或最低的块。编程和擦除
除非该块被使用的块的保护操作可以修改数据在该块
保护。
当V
PP
/ WP ＃保护提高到V
PPH
，设备会自动进入解锁逐
通过模式和命令执行时间更快。这决不可能从任何做
模式除外读模式;否则，设备可能会处于不确定的状态。
一个0.1μF的电容被连接到V之间
PP
/ WP ＃和V
SS
接地引脚DE-到
耦合浪涌电流从电源。 PCB走线的宽度必须是suffi-
cient携带过程中解锁绕道程序所需的电流。
当V
PP
/ WP ＃返回高还是低，恢复正常工作。当操作
在解锁旁路模式运行，该设备吸引我
PP
从引脚提供亲
编程电路。视线从高到V
PPH
和V
PPH
以LOW一定要慢
尔比
t
VHVPP 。
注意：
美光科技公司强烈建议驾驶V
PP
/ WP ＃高还是低。如果一个系统需要
浮动V
PP
/ WP ＃未经拉/下拉电阻和无电容器，则内部
上拉电阻器被启用。
表14： V
PP
/ WP ＃功能
V
PP
/ WP ＃设置
V
IL
V
IH
V
PPH
功能
最高（ 29WxxxGH ）或最低（ 29WxxxGL ）块被保护。
最高或最低块是不受保护的，除非软件保护被激活。
解锁旁路模式提供电流要加快程序的执行时间。
软件保护
软件保护包括易失性，非易失性，以及密码保护，以及
密码访问。该设备出厂时无保护的所有块。在首次使用时，单片机
副默认为非易失性保护模式，但可以在任一所述非激活
挥发性保护或密码保护模式。
所需的保护方式是通过设定任何非易失性保护启动
模式锁定位或锁定寄存器的密码保护模式锁定位。 （见
锁定寄存器部分）两个位一次性可编程性和非易失性。 there-
前，后保护模式已被启动，它不能被改变，并且该装置
永久设置在所选择的保护模式下操作。所以建议
所需的软件保护模式时，首先对器件编程被激活。
供的最低和最高的块，块保护的更高水平可以通过以下方式实现
锁定使用非易失性保护模式和保持V块
PP
/ WP ＃为低。
PDF ： 09005aef84daa141
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