128MB 3V嵌入式并行NOR闪存
特点
并行NOR闪存的嵌入式存储器
M29W128GH ， M29W128GL
特点
•电源电压
– V
CC
= 2.7-3.6V （编程，擦除，读）
– V
CCQ
= 1.65-3.6V （ I / O缓冲区）
– V
PPH
= 12V快速程序（可选）
•异步随机/页读
- 页面大小： 8个字或16个字节
- 页面访问： 25 ， 30ns的
- 随机访问： 60ns的
70 ， 80ns的
•快速程序指令： 32个字（ 64字节）写
卜FF器
•增强的缓冲程序指令： 256字
•程序时间
- 每字节/字典型值16μs
- 芯片上的程序时间： 5S与V
PPH
和8S无
V
PPH
•存储结构
- 统一块： 128主要模块， 128 KB或
每64 K字
•编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/字的程序算法
•编程/擦除挂起和恢复能力
- 程序中读取来自任何块可持
PEND操作
- 读取或擦除过程中设置另一个块
停业
•解锁绕道，块擦除，芯片擦除，写入缓冲器消耗
FER ，增强缓冲程序命令
- 快速缓冲/批处理编程
- 快速的块/片擦除
• V
PP
/ WP ＃引脚保护
- 保护第一个或最后一个块而不管块
保护设置
•软件保护
- 挥发性保护
- 非易失性保护
•密码保护
•扩展的内存块
- 128字（256字节）的存储器，用于perma-块
新界东北，安全识别
- 通用闪存接口
- 64位防伪码
•低功耗：待机和自动
模式
•最小100,00编程/擦除周期的每
块
•符合RoHS标准的封装
- 56引脚TSOP （ N） 14毫米X 20毫米
- 64球TBGA （ ZA ） 10毫米x10 13毫米
- 64球FBGA （ ZS ） 11毫米X 13毫米
•电子签名
- 制造商代码： 0020H
- M29W128GH均匀，最后一块被保护
V
PP
/ WP ＃ ： 227Eh + 2221h + 2201h
- M29W128GL均匀，第一块被保护
V
PP
/ WP ＃ ： 227Eh + 2221h + 2200H
•汽车级器件温度
- -40 ° C至+ 125°C （汽车级认证）
注意：
1. 60ns的设备可根据客户
请求。
PDF ： 09005aef84daa141
m29w_128mb.pdf - 版本A 7/13 EN
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