256MB ： 3V嵌入式并行NOR闪存
特点
并行NOR闪存的嵌入式存储器
M29W256GH ， M29W256GL
特点
•电源电压
– V
CC
= 2.7-3.6V （编程，擦除，读）
– V
CCQ
= 1.65-3.6V （ I / O缓冲区）
– V
PPH
= 12V快速程序（可选）
•异步随机/页读
- 页面大小： 8words或16个字节
- 页面访问： 25 ， 30ns的
- 随机访问： 60ns的
70 ， 80ns的
•快速程序指令： 32个字（ 64字节）写
卜FF器
•增强的缓冲程序指令： 256字
•程序时间
- 每字节/字典型值16μs
- 芯片上的程序时间： 10S采用V
PPH
和16S与 -
OUT V
PPH
•存储结构
- 统一块： 256主要模块， 128 KB或
每64 K字
•编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/字的程序算法
•编程/擦除挂起和恢复能力
- 程序中读取来自任何块可持
PEND操作
- 读取或擦除过程中设置另一个块
停业
•解锁绕道，块擦除，芯片擦除，写入缓冲器消耗
FER和程序
- 快速缓冲/批处理编程
- 快速的块/片擦除
• V
PP
/ WP ＃引脚保护
- 保护第一个或最后一个块而不管块
保护设置
•软件保护
- 挥发性保护
- 非易失性保护
•密码保护
•扩展的内存块
- 128字（256字节）的存储器，用于perma-块
新界东北，安全识别
- 编程或锁定在工厂或由
客户
- 通用闪存接口
- 64位防伪码
•低功耗：待机和自动
模式
• JESD47H兼容
- 至少100,000次编程/擦除周期的每
块
- 数据保存：20年（ TYP ）
• 65纳米单级单元（ SLC ）工艺技术
•加固BGA ， TBGA ，和TSOP封装
•绿色封装
•符合RoHS标准
=无卤
•汽车电子设备年级（ 6 ） ：温度-40 ° C到
+ 85°C （汽车级认证）
•汽车电子设备年级（ 3 ） ：温度-40 ° C到
+ 125°C （汽车级认证）
注意：
1. 60ns的设备可根据客户
请求。
PDF ： 09005aef84bd3b68
m29w_256mb.pdf - 版本B 5/13 EN
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