256MB ， 512MB （ 64位， DR ）
144针SDRAM SODIMM
小外形
SDRAM模块
特点
• PC100-和PC133兼容， 144引脚，小型
轮廓，双列直插内存模块（ SODIMM ）
•采用100 MHz和133 MHz的SDRAM组件
•无缓冲
• 256MB （梅格32 ×64 ）和512MB （梅格64 ×64 ）
• + 3.3V单电源供电
•完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
•内部流水线操作;可以列地址
可以改变每个时钟周期
•内置SDRAM银行隐藏行存取/
预充电
•可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
•自动预充电和自动刷新模式
•自刷新模式：标准和低功耗
• 256MB模块： 64毫秒， 4096周期刷新（ 15.625μs
刷新间隔） ; 512MB ： 64毫秒， 8192周期刷新
（ 7.81μs刷新间隔）
• LVTTL兼容的输入和输出
•串行存在检测（ SPD ）
•黄金边缘连接器
MT16LSDF3264 （L ）H - 256
MT16LSDF6464 （L ）H - 512MB
对于最新的数据资料，请参考美光
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网站：
图1 ： 144针SODIMM （ MO- 190 ）
PCB高度： 1.25in （ 31.75毫米）
选项
•自刷新电流
标准
低功耗
•包
144针SODIMM （标准）
144针SODIMM （无铅）
•内存时钟/ CL
7.5ns （ 133兆赫） / CL = 2
7.5ns （ 133兆赫） / CL = 3
为10ns （100兆赫） / CL = 2
- PCB
身高1.25in （ 31.75毫米）
注意：
记号
无
L
1
G
Y
1
-13E
-133
-10E
请参阅第2记
表1：
时序参数
CL = CAS （ READ ）延迟
存取时间
模块
时钟
标记频率CL = 2 CL = 3
-13E
-133
-10E
133兆赫
133兆赫
100兆赫
5.4ns
–
6ns
–
5.4ns
–
设置保持
TIME TIME
1.5ns
1.5ns
2ns
0.8ns
0.8ns
1ns
1.联系美光的产品可用性。
表2：
地址表
256MB
512MB
8K
4 （ BA0 ， BA1 ）
256MB （ 32兆×8 ）
8K （ A0 - A12 ）
1K （ A0 -A9 ）
2 (S0#, S1#))
4K
4 （ BA0 ， BA1 ）
128MB （ 16兆×8 ）
4K （ A0 -A11 ）
1K （ A0 -A9 ）
2 (S0#, S1#)
刷新计数
银行设备
设备CON组fi guration
行寻址
列寻址
模块队伍
PDF ： 09005aef807924d2 ，来源： 09005aef807924f1
SDF16C32_64x64HG.fm - 英文内容4/06 EN
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