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MT18LD472AG-6X 参数 Datasheet PDF下载

MT18LD472AG-6X图片预览
型号: MT18LD472AG-6X
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内容描述: 2 , 4梅格X 72无缓冲DIMM的DRAM [2, 4 MEG x 72 NONBUFFERED DRAM DIMMs]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 30 页 / 412 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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过时的
2,4的MEG X 72
无缓冲DIMM的DRAM
DRAM
模块
特点
• JEDEC标准的8 -CAS # , ECC引脚排列在一个168针,
双列直插式内存模块(DIMM )
• 16MB ( 2梅格X 72)和32MB ( 4梅格X 72 )
•无缓冲
•高性能CMOS硅栅工艺
• + 3.3V单
±0.3V
电源
•所有输入,输出和时钟TTL兼容
•刷新模式: RAS # - 只, CAS # -before - RAS #
( CBR )和隐藏
• 2048周期刷新分布在32毫秒
•快速页面模式( FPM )或扩展数据输出
( EDO )页模式访问周期
•串行存在检测( SPD )
MT9LD272A (Ⅹ) , MT18LD472A (X)的
对于最新的数据表的修改,请参考美光
网站: www.micron.com/mti/msp/html/datasheet.html
引脚配置(前视图)
168针DIMM
选项
•包
168针DIMM (金)
•时机
为50ns存取
60ns的访问
•存取周期
快速页模式
EDO页模式
只有* EDO版
记号
G
-5*
-6
X
关键时序参数
EDO操作模式
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
CAS
84ns
104ns
50ns
60ns
20ns
25ns
25ns
30ns
13ns
15ns
8ns
10ns
FPM操作模式
速度
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
RP
110ns
60ns
35ns
30ns
15ns
40ns
注意:
括号中的销的符号上,这些模块不使用,但也可使用
对于该产品系列的其他模块。他们是仅供参考。
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38
39
40
41
42
符号
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
DD
DQ14
DQ15
CB0
CB1
V
SS
NC
NC
V
DD
WE0#
CAS0#
CAS1#
RAS0#
OE0#
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
NC ( A12 )
V
DD
V
DD
俄罗斯足协
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80
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82
83
84
符号
V
SS
OE2#
RAS2#
CAS2#
CAS3#
WE2#
V
DD
NC
NC
CB2
CB3
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
DD
DQ20
NC
俄罗斯足协
NC
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
NC
NC
NC
SDA
SCL
V
DD
85
86
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89
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126
符号
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
DD
DQ46
DQ47
CB4
CB5
V
SS
NC
NC
V
DD
俄罗斯足协
CAS4#
CAS5#
NC
俄罗斯足协
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
数控(A11)
NC ( A13 )
V
DD
俄罗斯足协
俄罗斯足协
引脚符号
127
V
SS
128
俄罗斯足协
129 NC / RAS3 # *
130
CAS6#
131
CAS7#
132
俄罗斯足协
133
V
DD
134
NC
135
NC
136
CB6
137
CB7
138
V
SS
139
DQ48
140
DQ49
141
DQ50
142
DQ51
143
V
DD
144
DQ52
145
NC
146
俄罗斯足协
147
NC
148
V
SS
149
DQ53
150
DQ54
151
DQ55
152
V
SS
153
DQ56
154
DQ57
155
DQ58
156
DQ59
157
V
DD
158
DQ60
159
DQ61
160
DQ62
161
DQ63
162
V
SS
163
NC
164
NC
165
SA0
166
SA1
167
SA2
168
V
DD
2 , 4梅格X 72无缓冲DIMM的DRAM
DM60.p65 - 修订版6/98
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©1998,
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