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MT28F004B3 参数 Datasheet PDF下载

MT28F004B3图片预览
型号: MT28F004B3
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内容描述: FL灰内存 [FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 30 页 / 425 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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4Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
FL灰内存
MT28F004B3
MT28F400B3
只有3V ,双电源(智能3 )
特点
•七擦除块:
16KB / 8K字引导块(保护)
两个8KB / 4K字的参数块
四个主要的内存块
•智能3技术( B3 ) :
3.3V ±0.3V V
CC
3.3V ±0.3V V
PP
应用程序编程
5V ±10% V
PP
应用/生产编程
1
•兼容0.3微米的智能设备3
•先进的0.18微米CMOS浮栅工艺
•地址访问时间: 80ns的
• 100,000次擦除周期
•业界标准引脚
•输入和输出完全兼容TTL
•自动写入和擦除算法
•双循环写/擦除序列
•字节或字宽READ和WRITE
( MT28F400B3 , 256K ×16 / 512K ×8 )
•字节宽的阅读与写
( MT28F004B3 , 512K ×8 )
• TSOP和SOP封装选项
40引脚TSOP I型48引脚TSOP I型
44引脚SOP
选项
•时机
80ns的访问
•配置
512K ×8
256K ×16 / 512K ×8
•引导块起始字地址
顶( 3FFFFH )
底部( 00000H )
•工作温度范围
商用( 0℃至+ 70℃ )
扩展级(-40 ° C至+ 85°C )
•包
44引脚SOP ( MT28F400B3 )
48引脚TSOP I型( MT28F400B3 )
40引脚TSOP I型( MT28F004B3 )
注意:
记号
-8
MT28F004B3
MT28F400B3
T
B
ET
SG
WG
VG
概述
该MT28F004B3的(x8)和MT28F400B3 ( X16 / X8 )
是非易失性的,电的块擦除(闪存) ,亲
含4,194,304位可编程存储器件
组织为262,144字(16位)或524288字节( 8
位)。写或擦除设备与任何一个完成
3.3V或5V V
PP
电压,而正在执行的所有操作
采用3.3V V
CC
。由于工艺技术的进步,
5V V
PP
是最佳的应用和生产亲
编程。这些设备均选用美光科技公司
先进的0.18微米CMOS浮栅工艺。
该MT28F004B3和MT28F400B3组织
为七个单独擦除块。以确保
关键的固件被意外删除或保护
覆盖,该器件具有硬件保护
引导块。写或擦除引导块需要
无论是采用了超电压的RP #引脚或driv-
荷兰国际集团,WP#高电平除了执行正常的写
或擦除序列。该块可以被用来存储
在低级别的系统恢复代码执行。该
其余的块变化的密度和写入和
删除不需要额外的安全措施。
1.这一代的设备不支持12V V
PP
兼容性产品编程;然而, 5V V
PP
生产应用程序可以在不使用
损失的性能。
产品编号举例:
MT28F400B3SG - 8,T
4MB 3智能引导块闪存
F45_3.p65 - 修订版3 ,酒吧。 12/01
1
© 2001年,美光科技公司
产品与这里讨论的规格如有美光更改,恕不另行通知。