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MT28F008B3VG-9BET 参数 Datasheet PDF下载

MT28F008B3VG-9BET图片预览
型号: MT28F008B3VG-9BET
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内容描述: FL灰内存 [FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 30 页 / 413 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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8Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
FL灰内存
MT28F008B3
MT28F800B3
只有3V ,双电源(智能3 )
特点
•十一擦除块:
16KB / 8K字引导块(保护)
两个8KB / 4K字的参数块
八个主存块
•智能3技术( B3 ) :
3.3V ±0.3V V
CC
3.3V ±0.3V V
PP
应用程序编程
5V ±10% V
PP
应用/生产编程
1
•兼容0.3微米的智能设备3
•先进的0.18微米CMOS浮栅工艺
•地址访问时间:为90ns
• 100,000次擦除周期
•业界标准引脚
•输入和输出完全兼容TTL
•自动写入和擦除算法
•双循环写/擦除序列
• TSOP , SOP及FBGA封装选项
•字节或字宽READ和WRITE
( MT28F800B3 ) :
1梅格×8 / 512K ×16
40引脚TSOP I型48引脚TSOP I型
44引脚SOP
选项
•时机
为90ns存取
•配置
1梅格×8
512K X 16/1梅格×8
•引导块起始字地址
顶( 7FFFFH )
底部( 00000H )
•工作温度范围
商用( 0℃至+ 70℃ )
扩展级(-40 ° C至+ 85°C )
•包
40引脚TSOP I型( MT28F008B3 )
48引脚TSOP I型( MT28F800B3 )
44引脚SOP ( MT28F800B3 )
注意:
记号
-9
概述
MT28F008B3
MT28F800B3
T
B
ET
VG
WG
SG
该MT28F008B3的(x8)和MT28F800B3 ( X16 / X8 )是
低电压,非易失性,电块擦除(闪光) ,
含8388608位可编程存储器件
组织为524288个字( 16位)或1,048,576字节(8
位)。写入和擦除的设备与V完成
PP
电压3.3V或5V ,而所有的操作都
采用3.3V V进行
CC
。由于工艺技术
进步, 5V V
PP
是最佳的应用和生产
编程。这些设备均选用美光科技公司
先进的0.18微米CMOS浮栅工艺。
该MT28F008B3和MT28F800B3组织
到11分别可擦除块。以确保
关键的固件被意外删除或保护
覆盖,该器件具有硬件保护
引导块。该块可以被用来存储​​代码imple-
mented在低级别系统恢复。其余
块而变化的密度和写入和擦除
1.这一代的设备不支持12V V
PP
生产编程;然而, 5V V
PP
应用
生产编程可以在不损失可以使用
性能。
产品编号举例:
MT28F800B3WG - 9 BET
8MB 3智能引导块闪存
Q10_3.p65 - 修订版3 ,酒吧。 10/01
1
© 2001年,美光科技公司
产品与这里讨论的规格如有美光更改,恕不另行通知。