ADVANCE
2 MEG ×8
SMART 5 EVEN -扇形FLASH MEMORY
FL灰内存
特点
•三十个64KB的块擦除
•深度掉电模式：
最大10μA
•智能5技术：
5V ±10% V
CC
5V ±10% V
PP
应用/生产
程序设计
12V V
PP
宽容的相容性生产
程序设计
•地址访问时间：为90ns
•业界标准引脚
•输入和输出完全兼容TTL
•自动写入和擦除算法
•双循环写/擦除序列
MT28F016S5
只有5V ，双电源（智能5 ）
引脚配置（顶视图）
40引脚TSOP I型
选项
•时机
为90ns存取
记号
-9
•包
塑料40针TSOP 1型（ 10毫米x10 20毫米） VG
产品编号举例：
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
CE＃
V
CC
V
PP
RP ＃
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A20
NC
WE＃
OE ＃
RY / BY ＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
CC
V
SS
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
MT28F016S5VG-9
概述
该MT28F016S5是非易失性，电性嵌段
可擦（闪光），可编程只读存储器CON-
泰宁2,097,152个字节（8位） 。写入或擦除
器件采用5V V做
PP
电压，而所有操作
系统蒸发散与5V的V进行
CC
。由于工艺
技术的进步， 5V V
PP
是最佳的应用
生产编程。为了向后相容
ibility与SmartVoltage技术， 12V V
PP
被抑制
移植最长为100个周期，并且可以是
连接长达100小时的累计。该装置
被制造与美光先进的CMOS浮点
栅工艺。
2梅格×8的智能5偶扇形闪存
F42.p65 - 修订版1/00
该MT28F016S5分别组织成32
可擦除块。擦除可能会中断允许
与擦除等操作暂停命令。
在擦除后挂起发出命令，读
操作可被执行。
操作与从命令执行
行业标准的命令集。除了状态
登记投票时， MT28F016S5提供了一个现成的/
忙＃ （ RY / BY ＃ ）输出，以指示写入和擦除
完成。
1
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