4Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
FL灰内存
MT28F004B5
MT28F400B5
只有5V ，双电源（智能5 ）
0.3微米工艺技术
特点
•七擦除块：
16KB / 8K字引导块（保护）
两个8KB / 4K字的参数块
四个主要的内存块
•智能5技术（ B5 ） ：
5V ±10% V
CC
5V ±10% V
PP
应用/生产
程序设计
12V ±5% V
PP
兼容产品
程序设计
•地址访问时间： 60ns的， 80ns的
• 100,000次擦除周期
•业界标准引脚
•输入和输出完全兼容TTL
•自动写入和擦除算法
•双循环写/擦除序列
•字节或字宽READ和WRITE
（ MT28F400B5 ， 256K ×16 / 512K ×8 ）
•字节宽的阅读与写
（ MT28F004B5 ， 512K ×8 ）
• TSOP和SOP封装选项
40引脚TSOP I型48引脚TSOP I型
44引脚SOP
概述
该MT28F004B5的（x8）和MT28F400B5 （ X16 ， X8 ）
是非易失性的，电的块擦除（闪存） ，亲
可编程，只读包含4,194,304回忆
位组织为262144个字（ 16位）或524288
个字节（8位） 。写或擦除设备与完成
一个5V V
PP
电压，而正在执行的所有操作
用5V V
CC
。由于工艺技术的进步， 5V
V
PP
是最佳的应用和生产编程
明。对于SmartVoltage向后兼容性
技术， 12V V
PP
是否支持最多100个
个周期，并且可以连接多达100个累积
小时。这些设备均选用美光科技公司AD-
vanced的CMOS浮栅工艺。
该MT28F004B5和MT28F400B5组织
为七个单独擦除块。以确保
关键的固件被意外删除或保护
覆盖，该器件具有硬件保护
引导块。写或擦除引导块需要
无论是采用了超电压的RP ＃引脚或driv-
荷兰国际集团WP ＃高，除了执行正常的
写或擦除序列。该块可以被用来存储
在低级别的系统恢复代码执行。该
其余的块变化的密度和写入和
删除不需要额外的安全措施。
请参考美光公司的网站（ www.micron.com/
闪存/ HTMLS / datasheets.html ） P为最新的数据表。
选项
•时机
60ns的访问
80ns的访问
80ns的访问
•配置
512K ×8
256K ×16 / 512K ×8
•引导块起始字地址
顶（ 3FFFFH ）
底部（ 00000H ）
•工作温度范围
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
扩展级（-40 ° C至+ 85°C ）
•包
塑料44引脚SOP （ 600万）
塑料48针TSOP 1型
（12毫米X 20毫米）
塑料40针TSOP
（ 10毫米x10 20毫米）
产品编号举例：
记号
-6
-8
-8 ET
MT28F004B5
MT28F400B5
T
B
无
ET
SG
WG
VG
MT28F400B5SG - 8，T
4MB的智能5引导块闪存
F44_B.p65 - 修订版7/02
1
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