128MB ，64MB ，32MB
Q- FLASH MEMORY
表3
巴士业务
模式
读阵列
输出禁用
待机
复位/掉电
模式
读取识别码
阅读查询
读状态（ ISM关闭）
读状态（ ISM上）
DQ7
DQ15–DQ8
DQ6–DQ0
写
注意：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
RP ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
CE0 ， CE1 ，
CE2
1
OE ＃
2
WE＃
2
地址
启用
启用
残
X
启用
启用
启用
启用
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
X
X
X
X
SEE
图2
SEE
表7
X
X
V
笔
X
X
X
X
X
X
X
X
DQ
3
D
OUT
高-Z
高-Z
高-Z
注8
注9
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
STS DEFAULT
模式
笔记
高-Z
4
X
X
高-Z
4
高-Z
4
高-Z
4
5, 6, 7
V
IH
启用
V
IH
V
IL
X
V
金边
D
IN
X
7, 10, 11
8.
9.
10.
11.
见表2有效CE配置。
OE ＃和WE ＃绝不能同时启用。
DQ是指DQ0 - DQ7如果BYTE ＃为低，并DQ0 - DQ15如果BYTE ＃为高电平。
高-Z为V
OH
与外部上拉电阻。
请参考直流特性。当V
笔
≤
V
PENLK
，存储器的内容可以被读取，但不被改变。
X可以是V
IL
或V
IH
为控制和地址引脚和V
PENLK
或V
金边
对于V
笔
。见DC特性V
PENLK
和
V
金边
电压。
在默认模式下， STS为V
OL
当ISM正在执行内部块擦除，编程，或锁定位配置
算法。它是V
OH
当ISM不忙，块擦除挂起模式（编程无效） ，程序
挂起模式，或复位/掉电模式。
请参阅读取识别码数据读取标识符代码段。
请参阅读取查询数据读取查询模式命令部分。
命令将包括块擦除，编程或锁定位配置可靠地执行时， V
笔
= V
金边
和
V
CC
在规定范围内。
请参考表4为有效D
IN
在写操作。
128MB ，64MB ，32MB Q- Flash存储器
MT28F640J3_7.p65 - 启示录6 ，酒吧。 8/02
10
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