ADVANCE
‡
4梅格×16
ASYNC /页/爆闪存储器
FL灰内存
特点
•单设备支持异步的，页面，
突发操作
•灵活的双存储架构
支持真正的并行操作零
潜伏期
读行
a
在程序库
b
副
反之亦然
读行
a
在擦除银行
b
反之亦然
•基本配置：
第一百35块擦除
银行
a
（ 16Mb的用于数据存储）
银行
b
（ 48MB用于程序存储）
• V
CC
, V
CC
Q，V
PP
电压
1.70V （MIN）， 1.90V （最大值）V
CC
, V
CC
Q
（仅MT28F642D18 ）
1.80V （MIN）， 2.20V （最大值）V
CC
和
2.25V （MAX ）V
CC
Q（ MT28F642D20只）
1.80V （典型值）V
PP
（在系统编程/擦除）
12V ±5％ （HV ）V
PP
宽容（工厂编程
兼容性）
•随机存取时间： 70ns的@ 1.80V V
CC
1
•突发模式读访问
最大时钟频率： 54兆赫（
t
CLK = 18.5ns ）
突发潜伏期：为70ns @ 1.80V V
CC
和54兆赫
t
ACLK ：为15ns @ 1.80V V
CC
和54兆赫
•页面模式读取访问权限
1
四/ 8字的页面
页间的读取权限：为70ns @ 1.80V
页内读取访问权限：为30ns @ 1.80V
•低功耗（V
CC
= 2.20V)
异步读取< 15毫安
页间读< 15毫安
页内读< 5毫安
连续突发读取< 10毫安
写< 55毫安（ MAX）
ERASE < 45毫安（ MAX）
待机< 50μA （最大值）
自动省电（ APS ）功能
深度掉电< 25μA （最大值）
•增强的写入和擦除挂起选项
•加速编程算法（ APA ） IN-
系统和工厂
•双64位芯片的寄存器保护安全
施行
注意：
1.数据基于MT28F642D20设备上。
4梅格×16异步/页/突发闪存
MT28F642D18_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 8/02
MT28F642D18
MT28F642D20
低电压，扩展级温度
采用0.18μm工艺技术
引脚分配
59球FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
A11
2
A8
3
V
SS
4
V
CC
5
V
PP
6
A18
7
A6
8
A4
A12
A9
A20
CLK
RST ＃
A17
A5
A3
A13
A10
A21
ADV ＃
WE＃
A19
A7
A2
A15
A14
WAIT ＃
A16
DQ12
WP ＃
A1
V
CC
Q
DQ15
DQ6
DQ4
DQ2
DQ1
CE＃
A0
V
SS
DQ14
DQ13
DQ11
DQ10
DQ9
DQ0
OE ＃
DQ7
V
SS
Q
DQ5
V
CC
DQ3
V
CC
Q
DQ8
V
SS
Q
顶视图
（球下）
注意：
看到球说明表7页。
机械制图参见第50页。
•跨兼容命令支持
扩展指令集
通用闪存接口
•编程/擦除周期
每块100,000次写/擦除周期
选项
•时机
80ns的访问
为70ns存取
- 频率
40 MHZ
54兆赫
•引导块配置
顶部
底部
•包
59球FBGA （ 8 ×7球栅）
•工作温度范围
扩展级（-40 ° C至+ 85°C ）
产品编号举例：
记号
-80
-70
4
5
T
B
FN
ET
MT28F642D20FN -804 TET
1
© 2002年，美光科技公司
‡
产品和规格此讨论评估和仅供参考， ARE
如有更改，美光，恕不另行通知。仅保证产品美光符合Micron的
生产数据表规格。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
