8Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
功能说明
该MT28F800B3和MT28F008B3闪存设备IN-
公司多项功能非常适合于系统
固件。存储器阵列被分割为indi-
维杜阿尔擦除块。每个块可在不擦除
影响存储在其它块中的数据。这些内存
读取，写入和擦除命令块
命令执行逻辑（ CEL） 。在CEL控制
内部状态机的操作（ ISM），它
完全控制所有的写入，块擦除和校验。
操作。供应管理协会从保护每个存储单元
过擦除和优化了每个存储器位置
最大数据保留。此外，在ISM大大
简化了所需的写入装置的控制IN-
系统或外部编程。
功能描述提供了详细的Infor公司
息上的MT28F800B3的操作和
MT28F008B3并分为以下部分：
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概观
内存架构
输出（读取）操作
投入运营
命令集
ISM状态寄存器
命令执行
错误处理
写/擦除周期耐力
电源使用
上电
硬件保护BOOT BLOCK
存储器阵列的这个块可以被擦除或
只写了当RP ＃引脚采取V
HH
或者当
WP ＃引脚被带来了HIGH 。 （在WP ＃引脚不适
该SOP封装）。这提供了额外的安全性
期间，在系统固件更新的固件核心
应该是无意的电源波动或系统
重新出现。该MT28F800B3和MT28F008B3都可用
能够与引导块起始处的底部
地址空间（“B”后缀），并且地址的顶部
空间（ “T”后缀） 。
可选择的总线宽度（ MT28F800B3 ）
该MT28F800B3允许选择一个8位的
（1兆欧×8）或16位（ 512K ×16）的数据总线，用于读出和
写入存储器。将BYTE ＃引脚用于选择
总线宽度。在x16的配置中，控制数据被读出
或只写上的低8位（ DQ0 - DQ7 ） 。
数据写入到存储器阵列采用了所有有效
数据引脚选择配置。当X8
被选择的配置中，数据被写在字节表
当选择了x16的配置中，数据被写在
词形。
内部状态机（ ISM ）
块擦除和字节/字写时间是
简化的ISM控制所有擦除和写入
算法的存储器阵列中。在ISM确保保护
化对过度擦除和写入优化保证金
每个单元格。
在写操作时， ISM自动IN-
crements和显示器WRITE尝试，验证写
缘上的每个存储单元和更新在ISM状态
注册。当块擦除完成时， ISM非盟
tomatically覆盖整个地址块（消除
纳茨过度擦除） ，增量和显示器ERASE AT-
嘴馋，并将在ISM状态寄存器位。
ISM状态寄存器
在ISM状态寄存器允许外部处理器
写和擦除过程中监视ISM的状态
操作。两个位的8位的状态寄存器的设定和
完全由ISM清零。这些位表示是否
在ISM忙于一个擦除或写入任务和当
ERASE已经暂停。额外的错误信息
化被设置在另外三个位： V
PP
状态，写状态和
擦除状态。
命令执行逻辑（ CEL ）
对CEL接收并解释命令到
装置。这些命令控制的操作
ISM和读出的路径（即，存储器阵列， ID寄存器或
状态寄存器）。命令可能会发给CEL
概观
3 SMART技术（ B3 ）
3智能操作允许最大的灵活性IN-
系统读取，写入和擦除操作。写和
擦除操作可与V执行
PP
电压
3.3V或5V 。由于工艺技术的进步， 5V V
PP
is
最适用于应用及生产编程。
ELEVEN独立擦除存储器
块
该MT28F800B3和MT28F008B3被组织成
即AL- 11独立擦除的存储块
而不影响─要被擦除的存储器的低部
荷兰国际集团将内存中的数据的其余部分。一个特殊的引导块
硬件保护，以防止意外的删除或令状
荷兰国际集团所要求的RP ＃引脚或者是超电压或
驾驶WP ＃引脚为高电平。 （在WP ＃引脚不适用
到SOP封装。 ）其中这两个条件必须
沿着与V存在
PP
电压在V （ 3.3V或5V ）
PP
针
一个写或擦除是在开机前进行
块。剩余的块需要，只有在V
PP
电压出现在V
PP
销写作之前或
擦除。
8MB 3智能引导块闪存
Q10_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 10/01
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