ADVANCE
‡
64MB ： X16 ， X32
SyncFlash内存
SyncFlash
®
内存
特点
• 125 MHz的SDRAM兼容的读时序
•完全同步;所有信号上注册
系统时钟的上升沿，
•内部流水线操作;可以列地址
可以改变每个时钟周期
•内部银行隐藏行存取
•可编程突发长度：
1，2， 4，8，或整页（读）
1 ，2，4 ，或8 （写）
• LVTTL兼容的输入和输出
• 3.0V–3.6V V
CC
, 1.65V–1.95V V
CC
Q
另外V
HH
硬件保护模式（ RP ＃ ）
•支持1,2和3 CAS延迟
•四个银行架构支持真正的并行
操作零延迟
阅读任何银行在编程或擦除
其他银行
•深度掉电模式： 50μA （最大值）
•跨兼容闪存命令集
•工作温度范围-40
o
C至+ 85
o
C
MT28S4M16B1LL - 1兆欧×16× 4银行
MT28S2M32B1LL - 512K ×32× 4银行
引脚配置（顶视图）
90球FBGA - 梅格2 ×32
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
DQ26
2
DQ24
3
V
SS
7
VCC
8
DQ23
9
DQ21
DQ28
VCCQ
V
SS
Q
VCCQ
V
SS
Q
DQ19
V
SS
Q
DQ27
DQ25
DQ22
DQ20
VCCQ
V
SS
Q
DQ29
DQ30
DQ17
DQ18
VCCQ
VCCQ
DQ31
NC
NC
DQ16
VSSQ
V
SS
DQM3
A3
A2
DQM2
VCC
A4
A5
A6
A10
A0
A1
A7
A8
VCCP
NC
BA1
NC
CLK
CKE
A9
BA0
CS ＃
RAS ＃
DQM1
RP ＃
DNU
CAS ＃
WE＃
DQM0
VCCQ
DQ8
VSS
VCC
DQ7
V
SS
Q
V
SS
DQ10
DQ9
DQ6
DQ5
VCCQ
V
SS
Q
DQ12
DQ14
DQ1
DQ3
VCCQ
DQ11
VCCQ
V
SS
Q
VCCQ
V
SS
Q
DQ4
DQ13
DQ15
VSS
VCC
DQ0
DQ2
选项
•配置
4梅格×16 （ 1兆×16× 4组）
2梅格×32 （ 512K ×32× 4组）
•读时序（周期时间）
为10ns （100兆赫） @ CL2
为8ns （ 125兆赫） @ CL3
为10ns （100兆赫） @ CL3
•包
90球FBGA
产品编号举例：
记号
4M16
2M32
-8
-8
-10
FG
90球FBGA - 4梅格×16
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
DNU
2
DNU
3
V
SS
7
VCC
8
DNU
9
DNU
DNU
VCCQ
V
SS
Q
VCCQ
V
SS
Q
DNU
V
SS
Q
DNU
DNU
DNU
DNU
VCCQ
V
SS
Q
DNU
DNU
DNU
DNU
VCCQ
VCCQ
DNU
NC
NC
DNU
VSSQ
V
SS
MCL
A3
A2
MCL
VCC
A4
A5
A6
A10
A0
A1
MT28S4M16B1LLFG-8
A7
A8
VCCP
NC
BA1
NC
关键时序参数
ACCESS
速度
时钟
时间
设置保持
等级频率CL = 1 * CL = 2 * CL = 3 *时间时间
-8
-10
-8
125兆赫
100兆赫
100兆赫
-
-
-
-
-
8ns
7ns
7ns
-
2ns
2ns
2ns
1ns
1ns
CLK
CKE
A11
BA0
CS ＃
RAS ＃
DQM1
RP ＃
A9
CAS ＃
WE＃
DQM0
L
M
N
P
R
VCCQ
DQ8
VSS
VCC
DQ7
V
SS
Q
V
SS
DQ10
DQ9
DQ6
DQ5
VCCQ
V
SS
Q
DQ12
DQ14
DQ1
DQ3
VCCQ
DQ11
VCCQ
V
SS
Q
VCCQ
V
SS
Q
DQ4
DQ13
DQ15
VSS
VCC
DQ0
DQ2
1ns
注意：
1. ＃符号表示信号为低电平有效。
* CL = CAS （ READ ）延迟
64MB ： X16 ， X32 SyncFlash
MT28S4M16B1LL.p65 - 第1版，酒吧。 5/02
1
© 2002年，美光科技公司
‡
产品和规格此讨论评估和仅供参考，并有可能改变由
MICRON ，恕不另行通知。仅保证产品美光符合Micron的生产数据表规格。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
