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MT29F4G16ABBDAHC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MT29F4G16ABBDAHC
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内容描述: 4GB,8GB ,16GB : X8 , X16 NAND闪存产品特点 [4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 132 页 / 1301 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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美光科技公司机密和专有
4GB,8GB ,16GB : X8 , X16 NAND闪存
错误管理
错误管理
每个NAND闪存芯片(LUN)被规定为具有有效的块的最小数目
的总的可用块( NVB ) 。这意味着模具( LUN)的可以具有块那
无效出厂的时候。一个无效块是一个包含至少
一个页面有更坏的比比特可以通过ECC所需的最小予以纠正。
附加模块可以利用开发。然而,可用的块的总数
每个芯片( LUN )不会低于NVB产品的耐用性生活过程中。
虽然NAND闪存器件可以包含坏块,它们可以用于
相当可靠地提供坏块管理和纠错系统algo-
rithms 。这种类型的软件环境,可以确保数据的完整性。
内部电路隔离开来的其它块的每个块,所以一个坏块的存在
不影响NAND闪存阵列的其余部分的操作。
NAND闪存设备从工厂出货删除。本厂标识无效
发货前块试图通过坏块标记烧写到某些地区每
化在每个无效的块的第一页。它可能不能对每某些地区进行编程
化与坏块标记。然而,在每个坏块中的第一备用区的位置是
保证含有坏块的标记。这种方法是符合ONFI厂
缺陷制图的要求。请参阅下表为第一备用区的位置
而坏块标记。
系统软件应各自的第一页上检查第一备用区的位置
在NAND Flash的执行任何编程或擦除操作之前, DE-块
副。一个坏块表就可以创建,使系统软件地图上
这些区域。在最坏的情况下进行工厂测试。由于无效
块可能是边缘的,它可能无法恢复此信息,如果该块
被擦除。
随着时间的推移,一些存储器位置可能无法正确编程或擦除。为了
保证数据被正确地存储在NAND快闪存储器装置的寿命,以下
预防措施是必需的:
•编程或擦除操作后,请务必检查状态
•在典型的情况下,需要使用ECC最低(见下表)
•使用坏块管理和损耗均衡算法,
的第一个块(物理块地址为00h )为每个CE #保证是有效
具有ECC当从工厂运出。
表21 :错误管理细则
描述
每个LUN的有效块( NVB )的最小数量
每个LUN的总可用块
第一备用区的位置
坏块标记
最低要求的ECC
需求
4016
4096
X8 : 2048字节
X16 : 1024字
X8 : 00H
X16 : 0000H
每528字节的4位ECC
PDF : 09005aef83b25735
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - 牧师ñ 10/12 EN
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