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MT29F4G16ABADAWP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MT29F4G16ABADAWP
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内容描述: 4GB,8GB ,16GB : X8 , X16 NAND闪存产品特点 [4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 132 页 / 1301 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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美光科技公司机密和专有
4GB,8GB ,16GB : X8 , X16 NAND闪存
特点
NAND闪存
MT29F4G08ABADAH4 , MT29F4G08ABADAWP , MT29F4G08ABBDAH4 ,
MT29F4G08ABBDAHC , MT29F4G16ABADAH4 , MT29F4G16ABADAWP ,
MT29F4G16ABBDAH4 , MT29F4G16ABBDAHC , MT29F8G08ADADAH4 ,
MT29F8G08ADBDAH4 , MT29F8G16ADADAH4 , MT29F8G16ADBDAH4 ,
MT29F16G08AJADAWP
特点
•开放式NAND闪存接口( ONFI ) 1.0兼容
•单级单元( SLC )技术
•组织
- 页面大小X8 : 2112字节( 2048 + 64字节)
- 页面大小X16 : 1056字( 1024 + 32个字)
- 块大小: 64页( 128K + 4K字节)
- 平面尺寸: 2架X每架飞机2048块
- 设备尺寸:4GB : 4096块; 8GB : 8192块
16GB : 16,384块
•异步I / O性能
t
RC /
t
WC :为20ns ( 3.3V ) ,为25ns ( 1.8V )
•阵列性能
- 阅读页面:在25μs
- 程序页面:为200μs (典型值: 1.8V , 3.3V )
- 擦除块:为700μs (典型值)
•命令集: ONFI NAND闪存协议
•先进的指令集
- 程序页面缓存模式
- 阅读页面缓存模式
- 一次性可编程( OTP )模式
- 双机命令
- 交错模(LUN)的操作
- 读取唯一ID
- 锁座(仅1.8V )
- 内部数据移动
•操作状态字节为软件的方法
检测
- 操作完成
- 通过/失败状态
- 写保护状态
•就绪/忙# ( R / B# )信号提供了硬件
检测完成的操作方法
• WP #信号:写保护整个设备
•首块(块地址00H )是有效的,当船舶─
PED从工厂带ECC 。对于最低要求
ECC ,请参见错误管理。
•块0 ,需要1位ECC如果编程/擦除赛扬
克莱斯不到1000
• RESET ( FFH )的要求后pow-第一个命令
ER-上
•设备初始化的Nand_In-备选方法(
它)上电(联系工厂后)
•支持在内部数据移动操作
面从该数据被读出
•质量和可靠性
- 数据保存:10年
- 耐力:100,000编程/擦除周期
•工作电压范围
– V
CC
: 2.7–3.6V
– V
CC
: 1.7–1.95V
- 工作温度:
- 商业: 0 ° C至+ 70°C
- 产业( IT) : -40°C至+ 85°C
•包
- 48针TSOP 1型, CPL
2
- 63球VFBGA
注意事项:
1. ONFI 1.0规范可在
2. CPL =中心的分界线。
3.请参阅编程和擦除特性
t
R_ECC和
t
PROG_ECC规范。
4.只带ECC支持这些命令
禁用。
PDF : 09005aef83b25735
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - 牧师ñ 10/12 EN
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