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MT29F4G16ABADAWP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MT29F4G16ABADAWP
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内容描述: 4GB,8GB ,16GB : X8 , X16 NAND闪存产品特点 [4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 132 页 / 1301 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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美光科技公司机密和专有
4GB,8GB ,16GB : X8 , X16 NAND闪存
读操作
图40 :读取页面缓存时序( 31H )操作
周期类型
命令
地址X5
命令
命令
D
OUT
D
OUT
D
OUT
命令
D
OUT
I / O [ 7 : 0 ]
00h
网页地址M
30h
TWB
tR
RR
31h
TWB
tRCBSY
TRR
D0
Dn
31h
TWB
tRCBSY
TRR
D0
RDY
页m组成
页M + 1
阅读页面缓存随机的( 00H - 31H )
读出的页面缓存随机的( 00H - 31H )命令读取指定的块
页入数据寄存器,而先前的页面是从高速缓存寄存器输出。
该命令是由冲模(LUN)的接受时,它已准备好(RDY = 1, ARDY = 1)。这是
在读的页面缓存( 31H , 00H , 31H )操作也接受了模具( LUN )
(RDY = 1和ARDY = 0)。
要发出此命令,写入00H命令寄存器,然后写
n
地址周期
到地址寄存器,并通过写31h的命令寄存器结束。该同事
在指定的地址UMN地址被忽略。模具( LUN )地址必须匹配
同样的模具( LUN)地址前面的读取页( 00H -30H )命令,或者如果应用程序
BLE ,以前读的页面缓存随机的( 00H - 31H )命令。
发出该命令后, R / B#变低,模具( LUN )忙
( RDY = 0, ARDY = 0)为
t
RCBSY 。后
t
RCBSY , R / B #变为高电平和冲模(LUN)的忙
与高速缓存的操作(RDY = 1, ARDY = 0) ,表示该高速缓冲存储器的寄存器是具有此
竹叶提取与指定的页是从NAND快闪存储器阵列复制到数据寄存器
之三。在这一点上,数据可以是从高速缓存寄存器列开始输出AD-
装扮0随机数据读取( 05H - E0H )命令可以用来改变同事
被从高速缓存寄存器输出的数据的UMN地址。
在具有每个目标多于一个的管芯(LUN)的设备,期间和之后间
阔叶模(多LUN )运作的读取状态增强型( 78H )命令跟着
由读取模式( 00h)时命令lowed必须用来只选择一个阴模( LUN)的
防止总线争用。
PDF : 09005aef83b25735
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - 牧师ñ 10/12 EN
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