4GB，8GB ， 16GB和32GB x8的NAND快闪记忆体
特点
NAND闪存
MT29F4G08AAA ， MT29F8G08BAA ， MT29F8G08DAA ， MT29F16G08FAA
特点
•单级单元（ SLC ）技术
•组织
–
页面大小X8 ： 2112字节（2048 + 64字节）
–
块大小： 64页（ 128K + 4K字节）
–
平面尺寸： 2048块
–
器件尺寸：4GB ： 4096块; 8GB ： 8,192块;
16GB ： 16,384块
•读取性能
–
随机读取：在25μs （ MAX）
–
连续读取：为25ns （ MIN ）
•写入性能
–
节目页： 220μs （典型值）
–
BLOCK ERASE ：为1.5ms （ TYP ）
- 数据保存：10年
- 耐力：100,000编程/擦除周期
•首块（块地址00H ）保证是
有效期至1000编程/擦除周期
1
•行业标准的基础NAND闪存命令集
•先进的指令集：
–
节目页缓存模式
–
页读缓存模式
–
一次性可编程（ OTP ）的命令
–
双机命令
–
交错的模具业务
–
读取的唯一ID（请与工厂联系）
–
READ ID2 （联系工厂）
•操作状态字节提供的软件的方法
检测：
–
操作完成
–
通过/失败状态
–
写保护状态
•就绪/忙＃ （ R / B＃ ）信号提供了硬件
检测完成的操作方法
• WP ＃信号：写保护整个设备
•需要复位后，电
•支持的内部数据移动操作
从其中读取数据的平面内
图1：
48引脚TSOP 1型
选项
•密度
2
–
4GB （单芯片）
–
8GB （双裸片堆叠1 CE ＃ ）
–
8GB （双裸片堆叠2 CE ＃ ）
–
16GB （四裸片堆叠）
•设备宽度： X8
•配置
＃模具
排名第CE ##的R / B＃
I / O
1
1
1
常见
2
1
1
常见
2
2
2
常见
4
2
2
常见
• V
CC
: 2.7–3.6V
•包
–
48 TSOP I型（无铅电镀）
–
48 TSOP I型OCPL
3
（无铅电镀）
•工作温度
–
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
–
扩展级（-40 ° C至+ 85°C ）
4
注：1。有关详细信息，请参阅“错误管理”
2.对于部分编号和标记，看看
3. OCPL =偏离中心的分界线。
4.对于ET器件，请联系工厂。
1
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4gb_nand_m40a__1.fm - 版本B 2/07 EN
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