ADVANCE
4,8的MEG ×32
DRAM的SODIMM
小外形
DRAM模块
特点
•在一个72引脚，小外形，双IN- JEDEC引脚排列
直插式内存模块（ SODIMM ）
• 16MB （ 4梅格×32）和32MB （ 8梅格×32 ）
•高性能CMOS硅栅工艺
•单+ 3.3V ± 0.3V电源
•所有输入，输出和时钟TTL兼容
• 4096周期CAS ＃ -before - RAS ＃ （ CBR ）刷新
分布在64毫秒
•快速页模式（ FPM ）或扩展数据输出
（ EDO ）页模式访问周期
•可选的自刷新（ S）的低功耗数据保持
MT2LDT432H （X）的（S） - ， MT4LDT832H （X）中（S）
对于最新的数据资料，请参考美光网络
网站：
引脚配置（前视图）
72引脚小外形DIMM
1
选项
•包
72针SODIMM （金）
•时机
为50ns存取
60ns的访问
•存取周期
快速页模式
EDO页模式
•刷新率
标准刷新
自刷新（ 128ms的时间段）
记号
G
-5
-6
无
X
无
S
针
前
针
1
V
SS
2
3
DQ1
4
5
DQ3
6
7
DQ5
8
9
DQ7
10
11
PRD1
12
13
A1
14
15
A3
16
17
A5
18
19
A10
20
21
DQ8
22
23
DQ10
24
25
DQ12
26
27
DQ14
28
29
A11
30
31
A8
32
33 NC / RAS3 ＃ * 34
35
DQ15
36
只有* 32MB版本
后
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
V
DD
A0
A2
A4
A6
NC
DQ9
DQ11
DQ13
A7
V
DD
A9
RAS2#
NC
针
前
针
37
DQ16
38
39
V
SS
40
41
CAS2#
42
43
CAS1#
44
45 NC / RAS1 ＃ * 46
47
WE＃
48
49
DQ18
50
51
DQ20
52
53
DQ22
54
55
NC
56
57
DQ25
58
59
DQ28
60
61
V
DD
62
63
DQ30
64
65
NC
66
67
PRD3
68
69
PRD5
70
71
PRD7
72
后
DQ17
CAS0#
CAS3#
RAS0#
NC （ A12 ）
NC （ A13 ）
DQ19
DQ21
DQ23
DQ24
DQ26
DQ27
DQ29
DQ31
PRD2
PRD4
PRD6
V
SS
产品编号
EDO操作模式
产品型号
MT2LDT432HG -X X
MT2LDT432HG -X XS
MT4LDT832HG -X X
MT4LDT832HG -X XS
X =速度
CON组fi guration
4梅格×32
4梅格×32
8梅格×32
8梅格×32
刷新
标准
自
标准
自
注意：
括号中的符号，这些模块没有使用，但可能
用于该产品系列的其他模块。它们可用于
仅供参考。
关键时序参数
EDO操作模式
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
CAS
FPM操作模式
产品型号
MT2LDT432HG-x
MT2LDT432HG -个S
MT4LDT832HG-x
MT4LDT832HG -个S
X =速度
4 ， 8梅格×32 DRAM的SODIMM
DM89.p65 - 牧师12/98
84ns
104ns
50ns
60ns
20ns
25ns
25ns
30ns
13ns
15ns
8ns
10ns
CON组fi guration
4梅格×32
4梅格×32
8梅格×32
8梅格×32
刷新
标准
自
标准
自
FPM操作模式
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
RP
90ns
110ns
50ns
60ns
30ns
35ns
25ns
30ns
13ns
15ns
30ns
40ns
1
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MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
