2GB ： X4，X8 ， X16 DDR3 SDRAM
特点
DDR3 SDRAM
MT41J512M4 - 梅格64 ×4× 8银行
MT41J256M8 - 梅格32 ×8× 8银行
MT41J128M16 - 梅格16 ×16× 8银行
特点
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V
DD
= V
DDQ
= 1.5V ±0.075V
1.5V中间终止推/拉I / O
双向差分数据选通
8N位预取架构
差分时钟输入（ CK ， CK ＃ ）
8个内部银行
名义和动态片上端接（ ODT ）
数据，频闪和屏蔽信号
可编程CAS读取延迟（ CL ）
Posted CAS附加延迟（ AL ）
可编程CAS写入延迟（ CWL ）的基础上
t
CK
固定突发长度为8 （ BL ）和4爆裂斩（ BC）
（通过模式寄存器集[刘健] ）
可选BC4或BL8上的即时（ OTF ）
自刷新模式
T
C
为0℃至95℃
- 64毫秒，在0 ℃， 8192周期刷新至85°C
- 为32ms ，在85 ℃的8192周期刷新到95℃
自刷新温度（ SRT）
写调整
多用途寄存器
输出驱动器校准
选项
1
•配置
- 512梅格×4
- 256梅格×8
- 梅格128 ×16
• FBGA封装（无铅） - X4，X8
- 78球（采用8mm x 10.5毫米）牧师M，K
- 78球（9毫米X 11.5毫米） Rev. D的
• FBGA封装（无铅） - X16
- 96球（9毫米X 14毫米） Rev. D的
- 96球（采用8mm x 14毫米）牧师ķ
•时间 - 周期时间
- 938ps @ CL = 14 （ DDR3-2133 ）
- 1.071ns @ CL = 13 （ DDR3-1866 ）
- 1.25ns @ CL = 11 （ DDR3-1600 ）
- 1.5ns @ CL = 9 （ DDR3-1333 ）
- 1.87ns @ CL = 7 （ DDR3-1066 ）
•工作温度
- 商用（0°C
≤
T
C
≤
+95°C)
- 工业（ -40°C
≤
T
C
≤
+95°C)
•修订
注意：
记号
512M4
256M8
128M16
DA
HX
HA
JT
-093
-107
-125
-15E
-187E
无
IT
：D / ： M / ：K
•
•
•
•
上市可以合并为1。不是所有的选项
定义所提供的产品。使用部分
产品目录搜索
http://www.micron.com
可用的产品。
表1 ：关键时序参数
速度等级
-093
1, 2, 3, 4
-107
1, 2, 3
-125
1, 2,
-15E
1,
-187E
注意事项：
1.
2.
3.
4.
数据速率（ MT / s）的
2133
1866
1600
1333
1066
目标
t
RCD-
t
RP- CL
14-14-14
13-13-13
11-11-11
9-9-9
7-7-7
t
RCD
（纳秒）
t
RP
（纳秒）
CL（纳秒）
13.09
13.91
13.75
13.5
13.1
13.09
13.91
13.75
13.5
13.1
13.09
13.91
13.75
13.5
13.1
向下兼容1066 ， CL = 7 （ -187E ） 。
向下兼容1333 ， CL = 9 （ -15E ） 。
向下兼容1600 ， CL = 11 （ -125 ） 。
向后兼容到1866年， CL = 13 （ -107 ） 。
PDF ： 09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf - 修订版Q 04/13 EN
1
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产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。
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