1GB ： X4，X8 ， X16 DDR3 SDRAM
特点
DDR3 SDRAM
MT41J256M4 - 梅格32 ×4× 8银行
MT41J128M8 - 梅格16 ×8× 8银行
MT41J64M16 - 8梅格×16× 8银行
特点
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V
DD
= V
DDQ
= 1.5V ±0.075V
1.5V中间终止推/拉I / O
双向差分数据选通
8N位预取架构
差分时钟输入（ CK ， CK ＃ ）
8个内部银行
名义和动态片上端接（ ODT ）
数据，频闪和屏蔽信号
可编程CAS读取延迟（ CL ）
Posted CAS附加延迟（ AL ）
可编程CAS写入延迟（ CWL ）的基础上
t
CK
固定突发长度为8 （ BL ）和4爆裂斩（ BC）
（通过模式寄存器集[刘健] ）
可选BC4或BL8上的即时（ OTF ）
自刷新模式
T
C
为0℃至95℃
- 64毫秒，在0 ℃， 8192周期刷新至85°C
- 为32ms ，在85 ℃的8192周期刷新到95℃
自刷新温度（ SRT）
自动自刷新（ ASR ）
写调整
多用途寄存器
输出驱动器校准
选项
1
•配置
- 256梅格×4
- 128梅格×8
- 梅格64 ×16
• FBGA封装（无铅） - X4，X8
- 78球（采用8mm x 11.5毫米）修订版摹
• FBGA封装（无铅） - X16
- 96球（采用8mm x 14毫米）修订版摹
•时间 - 周期时间
- 1.07ns @ CL = 13 （ DDR3-1866 ）
- 1.07ns @ CL = 12 （ DDR3-1866 ）
- 1.25ns @ CL = 11 （ DDR3-1600 ）
- 1.5ns @ CL = 9 （ DDR3-1333 ）
- 1.87ns @ CL = 7 （ DDR3-1066 ）
•工作温度
- 商用（0°C
≤
T
C
≤
+95°C)
- 工业（ -40°C
≤
T
C
≤
+95°C)
- 汽车（ -40°C
≤
T
C
≤
+105°C)
•修订
注意：
记号
256M4
128M8
64M16
JP
JT
-107
-107E
-125
-15E
-187E
无
IT
AT
G
•
•
•
•
•
上市可以合并为1。不是所有的选项
定义所提供的产品。使用部分
产品目录搜索
http://www.micron.com
可用的产品。
表1 ：关键时序参数
速度等级
-107
1, 2
-107E
1, 2
-125
1, 2
-15E
1
187E
注意事项：
数据速率（ MT / s）的
1866
1866
1600
1333
1066
目标
t
RCD-
t
RP- CL
13-13-13
12-12-12
11-11-11
9-9-9
7-7-7
t
RCD
（纳秒）
t
RP
（纳秒）
CL（纳秒）
13.91
12.84
13.75
13.5
13.1
13.91
12.84
13.75
13.5
13.1
13.91
12.84
13.75
13.5
13.1
1.向下兼容1066 ， CL = 7 （ -187E ） 。
2.向后兼容1333 ， CL = 9 （ -15E ） 。
PDF ： 09005aef826aa906
1Gb_DDR3_SDRAM.pdf - 牧师L 03/13 EN
1
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