2GB ： X4，X8 ， X16 DDR3 SDRAM
功能说明
•完整的功能，可以在整个文档中描述的;任何页面或dia-
克可能已经简化传达一个主题，可能不包括所有的重
quirements 。
•任何具体要求优先于一般性发言。
•没有特别声明的任何功能被认为是不确定的，非法的，不支持一
移植，并且可导致未知的动作。
•行寻址表示为A [ N： 0 ] 。
例如，
1GB ：
n
= 12 （ X16 ） ; 1GB ：
n
= 13 (x4,
X8 ） ; 2GB ：
n
= 13 （ X16 ）和2Gb ：
n
= 14 （ X4，X8 ） ; 4GB ：
n
= 14 （ X16 ） ;和4Gb ：
n
= 15 (x4,
x8).
•动态ODT具有特殊的用例：当DDR3设备在架构中使用
单级存储阵列中， ODT球可以接高电平，而不是路由。参考
在动态ODT特殊用例部分。
•一个X16设备的DQ总线由两个字节。如果只有其中的一个字节必须是
用过的，用于数据传输的下一个字节和终止的高字节作为表示：
–
–
–
–
连接UDQS通过1kΩ的电阻*接地。
连接UDQS ＃到V
DD
通过1kΩ的电阻* 。
UDM连接到V
DD
通过1kΩ的电阻* 。
连接DQ [15：8 ]分别在V
SS
, V
DD
或V
REF
通过1kΩ的电阻， *或浮动
DQ [15：8 ] 。
*如果ODT时， 1kΩ电阻应改为4倍，所选择的ODT的。
PDF ： 09005aef826aaadc
2Gb_DDR3_SDRAM.pdf - 修订版Q 04/13 EN
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