4GB ： X4，X8 ， X16 DDR3L SDRAM
描述
1.35V DDR3L SDRAM
MT41K1G4 - 梅格128 ×4× 8银行
MT41K512M8 - 梅格64 ×8× 8银行
MT41K256M16 - 梅格32 ×16× 8银行
描述
DDR3L SDRAM（ 1.35V ）是一个低电压版本
DDR3 SDRAM （ 1.5V ） 。
• T
C
0° C至+ 95°C
- 64毫秒， 8192周期刷新在0 ° C至+ 85°C
- 为32ms ，在+ 85 ° C至+ 95°C
•自刷新温度（ SRT ）
•自动自刷新（ ASR ）
•写练级
•多用途寄存器
•输出驱动器校准
特点
• V
DD
= V
DDQ
= 1.35V (1.283–1.45V)
•向后兼容到V
DD
= V
DDQ
= 1.5V ±0.075V
- 支持DDR3L设备落后的COM
兼容于1.5V的应用
•差分双向数据选通
• 8N位预取架构
•差分时钟输入（ CK ， CK ＃ ）
• 8个内部银行
•额定动片上端接（ ODT ）
数据，频闪和屏蔽信号
•可编程CAS （ READ ）延迟（ CL ）
•可编程Posted CAS附加延迟（ AL ）
•可编程CAS （写）延迟（ CWL ）
•修正了突发长度为8 （ BL ）和4爆裂斩（ BC）
（通过模式寄存器集[刘健] ）
•可选BC4或BL8上的即时（ OTF ）
•自刷新模式
选项
•配置
- 1千兆×4
- 512梅格×8
- 梅格256 ×16
• FBGA封装（无铅） - X4，X8
- 78球（ 10.5毫米x 12毫米） Rev. D的
- 78球（9毫米X 10.5毫米）修订版E，J
• FBGA封装（无铅） - X16
- 96球（ 10毫米x10 14毫米） Rev. D的
- 96球（9毫米X 14毫米）英文内容
•时间 - 周期时间
- 1.071ns @ CL = 13 （ DDR3-1866 ）
- 1.25ns @ CL = 11 （ DDR3-1600 ）
- 1.5ns @ CL = 9 （ DDR3-1333 ）
- 1.87ns @ CL = 7 （ DDR3-1066 ）
•工作温度
- 商用（0°C
≤
T
C
≤
+95°C)
- 工业（ -40°C
≤
T
C
≤
+95°C)
•修订
记号
1G4
512M8
256M16
RA
RH
RE
HA
-107
-125
-15E
-187E
无
IT
：D / ： E / ：J-
表1 ：关键时序参数
速度等级
-107
1, 2, 3
-125
-15E
-187E
注意事项：
数据速率（ MT / s）的
1866
1600
1333
1066
目标
t
RCD-
t
RP- CL
13-13-13
11-11-11
9-9-9
7-7-7
t
RCD
（纳秒）
t
RP
（纳秒）
CL（纳秒）
13.91
13.75
13.5
13.1
13.91
13.75
13.5
13.1
13.91
13.75
13.5
13.1
1.向下兼容1066 ， CL = 7 （ -187E ） 。
2.向后兼容1333 ， CL = 9 （ -15E ） 。
3.向后兼容到1600 ， CL = 11 （ -107 ） 。
PDF ： 09005aef84780270
4Gb_DDR3L_SDRAM.pdf - 牧师ħ 4/13 EN
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