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256MB ： 16梅格×16 ， 8梅格×32移动DDR SDRAM
移动双倍数据速率（ DDR ） SDRAM
MT46H16M16LF - 4梅格×16× 4银行
MT46H8M32LF - 2梅格×32× 4银行
对于一个完整的数据手册，请参阅
特点
• V
DD
= +1.8V ±0.1V, V
DD
Q = + 1.8V ± 0.1V
•每个数据字节的双向数据选通（ DQS ）
•内部，流水线双倍数据速率（ DDR ）
体系结构;每个时钟周期2的数据访问
•差分时钟输入（ CK和CK ＃ ）
•进入每个积极的CK边缘命令
• DQS边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
•四个内部银行的并发操作
•数据掩码（ DM ），用于屏蔽写入数据，一个掩模
每字节
•可编程突发长度： 2 ， 4 ， 8 ， 16或整页
•支持并发自动预充电选项
•自动刷新和自刷新模式
• 1.8V LVCMOS兼容的输入
•片上温度传感器来控制刷新速率
•部分阵列自刷新（ PASR ）
•深度掉电（ DPD ）
•可选择的输出驱动器（ DS ）
•时钟停止功能
图1 ： 60球VFBGA分配
1
A
V
SS
DQ15
V
SS
Q
V
DD
Q
DQ0
V
DD
2
3
4
5
6
7
8
9
B
V
DD
Q
DQ13
DQ14
DQ1
DQ2
V
SS
Q
C
V
SS
Q
DQ11
DQ12
DQ3
DQ4
V
DD
Q
D
V
DD
Q
DQ9
DQ10
DQ5
DQ6
V
SS
Q
E
V
SS
Q
UDQS
DQ8
DQ7
LDQS
V
DD
Q
F
V
SS
UDM
NC
A13,
NC
LDM
V
DD
G
CKE
CK
CK ＃
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
H
A9
A11
A12
CS ＃
BA0
BA1
J
A6
A7
A8
A10/AP
A0
A1
K
V
SS
A4
A5
A2
A3
V
DD
选项
• V
DD
/V
DD
Q
• 1.8V/1.8V
•配置
- 梅格16 ×16 （ 4梅格×16× 4组）
• 8梅格×32 （ 2梅格×32× 4组）
=塑料包装
• 60球VFBGA
1
• 90球VFBGA
2
•时间 - 周期时间
•为6ns @ CL = 3
• 7.5ns @ CL = 3
•为10ns @ CL = 3
•工作温度范围
•商用（ 0 °C至+ 70 ° C）
=工业（ -40 ° C至+ 85°C ）
记号
H
16M16
8M32
待定
表1：
配置解决
梅格16 ×16
4梅格×16× 4
8K
8K （ A0 - A12 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
1K （ A0 -A9 ）
8梅格×32
2梅格×32× 4
4K
4K （ A0 -A11 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
1K （ A0 -A9 ）
架构
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
-6
-75
-10
无
IT
注： 1 。仅适用于x16的配置。
2.仅适用于X32的配置。
PDF ： 09005aef818ff781 /来源： 09005aef818ff799
MT46H16M16.fm - 版本A 03/05 EN
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1
‡产品与本文所讨论的规范仅用于评估和参考，受到美光更改，恕不另行通知。产品只有美光保证
符合Micron的生产数据表规格。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
