1GB ： X16 ， X32手机LPDDR SDRAM
球的分配和描述
球说明表是所有可能的球的全面列表中的所有受支持
包。没有列出所有的球都是给定包的支持。
表3 ：球说明
符号
CK ， CK ＃
TYPE
输入
描述
钟： CK是系统时钟输入。 CK和CK ＃是差分时钟输入。所有AD-
打扮和控制输入信号采样CK的上升沿的交叉
和CK＃的下降沿。输入和输出数据被引用到的交叉
CK和CK ＃ （交叉的两个方向） 。
时钟使能： CKE高电平激活，和CKE低停用时，内部时钟信号
输入缓冲器和输出驱动器。以CKE低使预充电电源关闭
和自刷新操作（所有银行闲置）或Active掉电（行积极
任何银行） 。 CKE是同步的，除了自刷新退出所有功能。所有输入
缓冲器（ CKE除外）都是在断电期间和自刷新模式禁用。
CKE0用于单个LPDDR产物。
CKE1用于双LPDDR产品，被认为是RFU单LPDDR的MCP 。
芯片选择： CS ＃启用（注册LOW ）和禁用（注册HIGH ）命令
解码器。当CS ＃注册HIGH的所有命令被屏蔽。 CS＃为EX-
在与多家银行系统ternal银行的选择。 CS ＃被认为是部分
命令代码。
CS0 ＃被用于单个LPDDR产物。
CS1 ＃被用于双重LPDDR产品，被认为是RFU单LPDDR的MCP 。
命令输入： RAS ＃ ， CAS ＃和WE＃ （连同CS ＃ ）定义的命令是
输入。
输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。输入数据被屏蔽
当DM是在写访问采样以及输入数据高。 DM是
采样DQS的两边。虽然DM球是只输入时， DM负荷
设计匹配的DQ和DQS球。
银行地址输入： BA0和BA1确定哪个银行的积极，读取，写入，或
预充电命令被应用。 BA0和BA1也决定哪种模式稳压
一个加载模式寄存器命令期间存器加载。
地址输入：提供行地址为ACTIVE命令，列AD-
礼服和自动预充电位（ A10）进行读取或写入命令，选择一个某些地区可能
化在各个银行的存储器阵列的。在预充电命令，
A10确定是否预充电适用于一家银行（ A10低，银行selec-
特德由BA0 ， BA1 ）或所有银行（ A10 HIGH ） 。地址输入还提供操作码
在一个加载模式寄存器命令。最大地址范围是依赖
根据配置。未使用的地址球成为俄罗斯足协。
测试引脚：必须连接到V
SS
或V
SSQ
在正常的操作。
数据输入/输出：数据总线的X16和X32 。
数据选通：输出与读出的数据，输入与写入数据。 DQS是边沿对齐用
读取数据时，中心对齐的写入数据。它是用来捕获数据。
温度传感器输出： TQ HIGH时， LPDDR牛逼
J
超过85°C 。
DQ电源。
DQ地面。
电源。
CKE
CKE0 ， CKE1
输入
CS ＃
CS0 ＃ ， CS1 ＃
输入
RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃
UDM ， LDM （ X16 ）
DM [3： 0]（ ×32 ）
输入
输入
BA0 ， BA1
输入
A[13:0]
输入
TEST
DQ [15： 0]（ ×16）
DQ [ 31 ： 0 ] （ X32 ）
LDQS ， UDQS （ X16 ）
DQS [3： 0]（ ×32 ）
TQ
V
DDQ
V
SSQ
V
DD
输入
输入/
产量
输入/
产量
产量
供应
供应
供应
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1gb_ddr_mobile_sdram_t68m.pdf - 启示录摹9/11 EN
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