1GB ： X16 ， X32手机LPDDR SDRAM
扩展模式寄存器
扩展模式寄存器
电子病历控件超出了模式寄存器设置附加功能。这些
附加的功能包括驱动强度， TCSR和PASR 。
电子病历是通过与BA0加载模式寄存器命令编程= 0，
在EMR BA1 = 1，信息将被保留，直到它被重新编程，单片机
副进入深度掉电模式或设备断电。
图21 ：扩展模式寄存器
BA1 BA0一个
... A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1
A0
地址总线
n+ 2 n+ 1 n
0
1
... 10
9
手术
8
7
6
DS
5
4
3
1
TCSR
2
1
PASR
0
扩展模式
注册（防爆）
EN + 2恩+ 1
0
0
0
1
1
0
1
1
模式寄存器定义
标准模式寄存器
状态寄存器
扩展模式寄存器
版权所有
E7
0
0
0
0
1
1
1
1
E6
0
0
1
1
0
0
1
1
E5
0
1
0
1
0
1
0
1
驱动强度
充满力量
1/2强
1/4强
3/4强
3/4强
版权所有
版权所有
版权所有
E2
0
0
0
0
1
1
1
1
E1
0
0
1
1
0
0
1
1
E0
0
1
0
1
0
1
0
1
局部阵列自刷新覆盖
全阵列
1/2阵列
1/4阵列
版权所有
版权所有
1/8阵列
1/16阵列
版权所有
En
0
–
...
0
–
E10 E9
0
0
–
–
E8
0
–
E7–E0
有效
–
AR正常运行
所有其他国家保留
注意事项：
1.在模头温度传感器来代替TCSR的。将这些位不会有任何EF -
FECT 。
2.整
n
等于最显著地址位。
温度补偿自刷新
该装置包括一个用于自动控制的实施温度传感器
自刷新振荡器。编程的温度补偿自刷新
（ TCSR ）位会在设备上没有影响。自刷新振荡器将继续
刷新在最佳工厂编程的速率为器件温度。
PDF ： 09005aef83d9bee4
1gb_ddr_mobile_sdram_t68m.pdf - 启示录摹9/11 EN
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