初步
‡
256MB ： X4，X8 ， X16
DDR333 SDRAM补遗
双倍数据速率
（ DDR ） SDRAM
特点
• 167 MHz时钟， 333 Mb / s的/ P数据速率
• V
DD
= +2.5V ±0.2V, V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V
•双向数据选通（ DQS ）发送/
用数据，即，源同步数据接收
捕捉（ X16有两个 - 每个字节1 ）
•内部，流水线双倍数据速率（DDR ）
体系结构;每个时钟周期2的数据访问
•差分时钟输入（ CK和CK ＃ ）
•进入每个积极的CK边缘命令
• DQS边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
• DLL对齐DQ和DQS转换与CK
•四个内部银行的并发操作
•数据屏蔽（ DM ），用于屏蔽写入数据（ X16有
2 - 每个字节1 ）
•可编程突发长度： 2 ， 4或8
•并发自动预充电选项支持
•自动刷新和自刷新模式
• FBGA封装
• 2.5V的I / O （ SSTL_2兼容）
•
t
RAS锁定（
t
RAP =
t
RCD ）
•与DDR200和DDR266向后兼容
MT46V64M4 - 梅格16 ×4× 4银行
MT46V32M8 - 梅格8 ×8× 4银行
MT46V16M16 - 4梅格×16× 4银行
对于最新的数据表的修改，请参考美光
网站：
DDR333兼容性
DDR333符合或超过所有的DDR266时序重
quirements从而保证完全向后兼容
与现有的DDR设计。此外，这些设备
支持并发自动预充电和
t
RAS锁定
以提高时序性能。 256MB的，
DDR333的设备将支持（
t
REFI ）平均围
7.8us的颂歌刷新间隔。
标准的66引脚TSOP封装供
点至点应用场合的FBGA封装
在于，在多点系统。
美光256Mb的数据表提供了完整的specifi-
阳离子和功能，除非指定于此。
CON组fi guration
架构
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
64梅格×4
32梅格×8
梅格16 ×16
梅格16 ×4× 4银行8梅格×8× 4银行4梅格×16× 4银行
8K
8K （ A0 - A12 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
2K （ A0 -A9 ， A11 ）
8K
8K （ A0 - A12 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
1K （ A0 -A9 ）
8K
8K （ A0 - A12 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
512 (A0– A8)
选项
产品型号
64M4
32M8
16M16
TG
FJ
-6
-6T
-75Z
无
•配置
64梅格×4 （ 16兆×4× 4银行）
梅格32 ×8（ 8梅格×8× 4组）
梅格16 ×16 （ 4梅格×16× 4组）
=塑料包装
66引脚TSOP （ OCPL ）
60球FBGA （ 16x9mm ）
•时间 - 周期时间
为6ns @ CL = 2.5 （ DDR333B - FBGA ）
1
为6ns @ CL = 2.5 （ DDR333B - TSOP ）
1
7.5ns @ CL = 2（ DDR266A ）
2
•自刷新
标准
关键时序参数
3
速度
GRADE
-6
-6T
-75Z
注意：
时钟速率
CL = 2
1
数据进出DQS -DQ
1
CL = 2.5
窗口
2
窗口
2.15ns
2.0ns
2.5ns
±0.70ns
±0.75ns
±0.75ns
SKEW
+0.35ns
+0.45ns
+0.50ns
133兆赫
133兆赫
133兆赫
167兆赫
167兆赫
133兆赫
1， CL = CAS （读）延迟
2.用50/50的时钟占空比和最小时钟
率@ CL = 2 （ -75Z ）和CL = 2.5 （ -6 ， -6T ） 。
3， -75 ， -8 ，也可用;看到基础数据表。
注意：
1.支持PC2700模块2.5-3-3时机
2.支持PC2100模块时序2-3-3
256MB ： X4，X8 ， X16 DDR333 SDRAM
256Mx4x8x16DDR333_B.p65 - 版本B ;酒馆。 10/01
1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
© 2001年，美光科技公司
‡产品和规格此讨论评估和仅供参考，并有可能改变由
MICRON ，恕不另行通知。仅保证产品美光符合Micron的生产数据表规格。
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