512MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
特点
双倍数据速率（ DDR ） SDRAM
MT46V128M4 - 梅格32 ×4× 4银行
MT46V64M8 - 梅格16 ×8× 4银行
MT46V32M16 - 8梅格×16× 4银行
特点
• V
DD
= +2.5V ±0.2V, V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V
• V
DD
= +2.6V ±0.1V, V
DD
Q = + 2.6V ± 0.1V （ DDR400 ）
•双向数据选通（ DQS ）发送/
用数据，即，源同步数据接收
捕捉（ X16有两个 - 每个字节1 ）
•内部，流水线双倍数据速率（DDR ）
体系结构;每个时钟周期2的数据访问
•差分时钟输入（ CK和CK ＃ ）
•进入每个积极的CK边缘命令
• DQS边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
• DLL对齐DQ和DQS转换与CK
•四个内部银行的并发操作
•数据屏蔽（ DM ），用于屏蔽写入数据
（ X16有两个 - 每个字节1 ）
•可编程突发长度： 2 ， 4或8
•自动刷新
–
64毫秒， 8192周期（商业和工业）
–
16毫秒， 8192周期（汽车）
•自刷新（而不是AT设备提供）
•更长的引脚TSOP提高可靠性（ OCPL ）
• 2.5V的I / O （ SSTL_2兼容）
•支持并发自动预充电选项
•
t
RAS支持锁定（
t
RAP =
t
RCD ）
选项
•配置
–
128梅格×4 （ 32兆×4× 4组）
–
梅格64 ×8（ 16梅格×8× 4组）
–
梅格32 ×16 （ 8梅格×16× 4组）
=塑料包装
–
66针TSOP
–
66针TSOP （无铅）
–
60球FBGA （ 10毫米x10 12.5毫米）
–
60球FBGA （ 10毫米x10 12.5毫米） （无铅）
•时间 - 周期时间
–
为5ns @ CL = 3 （ DDR400B ）
–
为6ns @ CL = 2.5 （ DDR333 ） （ FBGA只）
–
为6ns @ CL = 2.5 （ DDR333 ） （ TSOP只）
–
7.5ns @ CL = 2 （ DDR266 ）
–
7.5ns @ CL = 2（ DDR266A ）
–
7.5ns @ CL = 2.5 （ DDR266B ）
•自刷新
–
标准
–
低功耗自刷新
•温度额定值
–
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
–
工业级（-40° C至+ 85°C ）
–
汽车（ -40 ° C至+ 105 ° C）
•修订
–
x4, x8
–
x4, x8, x16
注意事项： 1，结束生命。
记号
128M4
64M8
32M16
TG
P
FN
BN
-5B
-6
-6T
-75E
1
-75Z
1
-75
1
无
L
无
IT
AT
:D
1
:F
表1：
关键时序参数
CL = CAS （ READ ）的延迟;数据输出窗口是最小时钟速率为50％的占空比，在CL = 2， CL = 2.5 ，或CL = 3
时钟频率（MHZ ）
CL = 2
133
133
133
133
100
CL = 2.5
167
167
167
133
133
CL = 3
200
不适用
不适用
不适用
不适用
速度
GRADE
-5B
-6
6T
-75E/-75Z
-75
数据输出
窗口
1.6ns
2.1ns
2.0ns
2.5ns
2.5ns
ACCESS
窗口
±0.70ns
±0.70ns
±0.70ns
±0.75ns
±0.75ns
DQS -DQ
SKEW
+0.40ns
+0.40ns
+0.45ns
+0.50ns
+0.50ns
PDF ： 09005aef80a1d9d4 /来源： 09005aef82a95a3a
512Mb_DDR_x4x8x16_D1.fm - 512Mb的DDR ：启示录N;核心DDR版本B 2/09 EN
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