256MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
特点
双倍数据速率（ DDR ） SDRAM
MT46V64M4 - 梅格16 ×4× 4银行
MT46V32M8 - 梅格8 ×8× 4银行
MT46V16M16 - 4梅格×16× 4银行
特点
• V
DD
= +2.5V ±0.2V, V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V
• V
DD
= +2.6V ±0.1V, V
DD
Q = + 2.6V ± 0.1V （ DDR400 ）
•双向数据选通（ DQS ）发送/
与数据接收，也就是，源同步数据
捕捉（ X16有两个 - 每个字节1 ）
•内部，流水线双倍数据速率（DDR ）
体系结构;每个时钟周期2的数据访问
•差分时钟输入（ CK和CK ＃ ）
•进入每个积极的CK边缘命令
• DQS边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
• DLL对齐DQ和DQS转换与CK
•四个内部银行的并发操作
•数据屏蔽（ DM ），用于屏蔽写入数据
（ X16有两个 - 每个字节1 ）
•可编程突发长度（ BL ） ： 2 ， 4或8
•自动刷新
–
64毫秒， 8192周期（商业&工业）
–
16毫秒， 8192周期（汽车）
•自刷新（而不是AT设备提供）
•更长的引脚TSOP提高可靠性（ OCPL ）
• 2.5V的I / O （ SSTL_2兼容）
•并发自动预充电选项支持
•
t
RAS支持锁定（
t
RAP =
t
RCD ）
选项
记号
•配置
–
64梅格×4 （ 16兆×4× 4银行）
64M4
–
梅格32 ×8（ 8梅格×8× 4组）
32M8
–
梅格16 ×16 （ 4梅格×16× 4组）
16M16
•塑料包装 - OCPL
–
66针TSOP
TG
–
66针TSOP （无铅）
P
=塑料包装
FG
–
60球FBGA （采用8mm x 14毫米）
BG
–
60球FBGA （采用8mm x 14毫米） （无铅）
CV
2
–
60球FBGA （采用8mm x 12.5毫米）
CY
2
–
60球FBGA （采用8mm x 12.5毫米）
（无铅）
•时间 - 周期时间
–
为5ns @ CL = 3 （ DDR400B ）
-5B
–
为6ns @ CL = 2.5只（ DDR333 ） FBGA
-6
–
为6ns @ CL = 2.5只（ DDR333 ） TSOP
-6T
-75E
1
–
7.5ns @ CL = 2 （ DDR266 ）
-75Z
1
–
7.5ns @ CL = 2（ DDR266A ）
-75
1
–
7.5ns @ CL = 2.5 （ DDR266B ）
•自刷新
–
标准
无
–
低功耗自刷新
L
•温度额定值
–
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
无
–
工业级（-40° C至+ 85°C ）
IT
–
汽车（ -40 ° C至+ 105 ° C）
AT
4
•修订
:G
3
–
x4, x8
:F
3
–
x16
–
x4, x8, x16
:K
注：1.仅适用于版本F和G.
2.仅适用于修订K.
3.不建议用于新设计。
4.联系美光的可用性。
PDF ： 09005aef80768abb /来源： 09005aef82a95a3a
256Mb_DDR_x4x8x16_D1.fm - 256Mb的DDR ：启示录O， DDR的核心：版本B 1/09 EN
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