256MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
特点
双倍数据速率（ DDR ） SDRAM
MT46V64M4 - 梅格16 ×4× 4银行
MT46V32M8 - 梅格8 ×8× 4银行
MT46V16M16 - 4梅格×16× 4银行
特点
• V
DD
= 2.5V ±0.2V; V
DDQ
= 2.5V ±0.2V
V
DD
= 2.6V ±0.1V; V
DDQ
= 2.6V ± 0.1V （ DDR400 ）
1
•双向数据选通（ DQS ）发送/
与数据接收，也就是，源同步数据
捕捉（ X16有两个 - 每个字节1 ）
•内部，流水线双倍数据速率（ DDR ）
体系结构;每个时钟周期2的数据访问
•差分时钟输入（ CK和CK ＃ ）
•进入每个积极的CK边缘命令
• DQS边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
• DLL对齐DQ和DQS转换与CK
•四个内部银行的并发操作
•数据屏蔽（ DM ），用于屏蔽写入数据
（ X16有两个 - 每个字节1 ）
•可编程突发长度（ BL ） ： 2 ， 4或8
•自动刷新
–
64毫秒， 8192周期
•更长的引脚TSOP提高可靠性（ OCPL ）
• 2.5V的I / O （ SSTL_2兼容）
•并发自动预充电选项支持
•
t
RAS支持锁定（
t
RAP =
t
RCD ）
选项
记号
•配置
64M4
–
64梅格×4 （ 16兆×4× 4银行）
32M8
–
梅格32 ×8（ 8梅格×8× 4组）
16M16
–
梅格16 ×16 （ 4梅格×16× 4组）
•塑料包装 - OCPL
TG
–
66针TSOP
P
–
66针TSOP （无铅）
=塑料包装
CV
–
60球FBGA （采用8mm x 12.5毫米）
CY
–
60球FBGA （采用8mm x 12.5毫米）
（无铅）
•时间 - 周期时间
-5B
–
为5ns @ CL = 3 （ DDR400 ）
-6
2
–
为6ns @ CL = 2.5只（ DDR333 ） FBGA
-6T
2
–
为6ns @ CL = 2.5只（ DDR333 ） TSOP
•自刷新
无
–
标准
L
–
低功耗自刷新
•温度额定值
无
–
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
IT
–
工业级（-40° C至+ 85°C ）
•修订
:K
4
–
x4, x8, x16
:M
–
x4, x8, x16
注意事项： 1， DDR400的设备< DDR333运行
条件可以使用V
DD
/V
DDQ
= 2.5V +0.2V.
2.只适用于修改K.
3.只适用于修改M.
4.不推荐用于新的设计。
表1：
关键时序参数
CL = CAS （ READ ）的延迟;最小时钟速率为50％的占空比，在CL = 2（ -75E ， -75Z ），CL = 2.5 （-6 ， -6T ， -75 ） ，及
CL = 3 （ -5B ）
时钟频率（MHZ ）
ACCESS
窗口
±0.70ns
±0.70ns
±0.70ns
±0.75ns
±0.75ns
DQS -DQ
SKEW
0.40ns
0.40ns
0.45ns
0.50ns
0.50ns
速度等级
-5B
-6
6T
-75E/-75Z
-75
CL = 2
133
133
133
133
100
CL = 2.5
167
167
167
133
133
CL = 3
200
不适用
不适用
不适用
不适用
数据输出窗口
1.6ns
2.1ns
2.0ns
2.5ns
2.5ns
PDF ： 09005aef80768abb /来源： 09005aef82a95a3a
256Mb_DDR_x4x8x16_D1.fm - 256Mb的DDR ：启示录S，核心DDR ：英文内容EN 9/12
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