初步
128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
128MB DDR SDRAM型号一览
（注： XX = -75 ， -75Z ，或-8 ）
产品型号
MT46V32M4TG-xx
MT46V32M4TG-xxL
MT46V16M8TG-xx
MT46V16M8TG-xxL
MT46V8M16TG-xx
MT46V8M16TG-xxL
CON组fi guration
32梅格×4
32梅格×4
梅格16 ×8
梅格16 ×8
8梅格×16
8梅格×16
I / O驱动电平
全驱动
全驱动
全驱动
全驱动
可编程驱动
可编程驱动
刷新选项
标准
低功耗
标准
低功耗
标准
低功耗
概述
128MB的DDR SDRAM是高速CMOS ，
包含动态随机存取存储器
134217728位。它是在内部配置为四核
银行的DRAM 。
128MB的DDR SDRAM采用的是双倍数据速率
体系结构来实现高速操作。该
双倍数据速率的体系结构本质上是一个的2n预取
建筑与设计为传输2的界面
每个时钟周期的数据字的I / O引脚。单读
或有效地写访问的128Mb的DDR SDRAM
由一个单一的2n比特宽，一个时钟周期的数据
转移在内部DRAM芯和两个corre-
应的
n位
宽，一个半时钟周期的数据传输
FERS在I / O引脚。
双向数据选通（ DQS ）被发送
外，还有数据，在数据采集应用
接收机。 DQS是DDR的传输频闪
SDRAM中读出并通过存储器控制器
中写道。 DQS是边沿对齐与数据
读取和中心对齐与写入数据。该
x16的产品有两个数据选通信号，一个是低
字节，一个用于高字节。
128MB的DDR SDRAM从differen-工作
TiAl金属时钟（ CK和CK ＃ ） ; CK的路口去HIGH
和CK ＃变低将被称为正
CK的边缘。命令（地址和控制信号）
注册在CK的每个上升沿。输入数据
被登记在DQS的两个边缘，和输出数据是
参考DQS的两个边缘，以及两者
CK的边缘。
读取和写入访问到DDR SDRAM是
爆导向;存取开始在一个选定的位置和
持续的地点在一个设定的号码
编程序列。访问开始的寄存器
tration积极的命令，它是那么的跟着
通过读或写命令钮。地址
位重合注册与激活命令
用于选择银行和行进行访问。该
地址位注册暗合了READ或
写命令用于选择银行和
开始为突发访问列位置。
在DDR SDRAM提供了可编程只读
或写突发的2 ，4或8个位置的长度。自动
预充电功能可被使能，以提供一个自
定时行预充电时的结尾开始了
突发存取。
与标准的SDR SDRAM芯片，所述流水线式
DDR SDRAM芯片的多组结构允许
并发操作，从而提供高有效
带宽隐藏行预充电和激活
时间。
自动刷新模式设置，以及一个
节能省电模式。所有的输入都是的COM
兼容与JEDEC标准SSTL_2 。全部爆满
驱动力输出是SSTL_2 ， II级兼容。
注1 ：
的功能和定时特定网络连接的阳离子
本数据手册介绍了与启用DLL ，
操作模式。
在整个数据表，各种人物和
文本指的DQ为“ DQ ”的DQ项被
解释为任何和所有的DQ的统称，除非
特别说明，否则。
此外，该x16的被分成两个字节 -
的低字节和高字节。为低字节
（通过DQ7 DQ0 ） DM是指LDM和DQS
指LDQS ;和高字节（ DQ8通过
DQ15 ） DM是指UDM和DQS是指UDQS 。
注2 ：
128MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
128Mx4x8x16DDR_C.p65 - 版本C ;酒馆。 4/01
2
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