512MB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
特点
DDR2 SDRAM
MT47H128M4 - 梅格32 ×4× 4银行
MT47H64M8 - 梅格16 ×8× 4银行
MT47H32M16 - 8梅格×16× 4银行
特点
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V
DD
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
4N位预取架构
对于X8重复输出选通（ RDQS ）选项
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
4个内部银行的并发操作
可编程CAS延迟（ CL ）
Posted CAS附加延迟（ AL ）
写延时=读延时 - 1
t
CK
可选突发长度： 4或8
可调节的数据输出驱动强度
64毫秒， 8192周期刷新
片上端接（ ODT ）
工业温度（ IT）选项
汽车级温度（ AT ）的选择
符合RoHS标准
支持JEDEC的时钟抖动指标
选项
1
•配置
- 128梅格×4 （ 32兆×4× 4组）
- 梅格64 ×8（ 16梅格×8× 4组）
- 梅格32 ×16 （ 8梅格×16× 4组）
• FBGA封装（无铅） - X16
- 84球FBGA （采用8mm x 12.5毫米）修订版F，G
• FBGA封装（无铅） - X4，X8
- 60球FBGA （采用8mm x 10毫米）修订版F，G
• FBGA封装（无铅焊锡） - X16
- 84球FBGA （采用8mm x 12.5毫米）修订版F，G
• FBGA封装（无铅焊锡） - X4，X8
- 60球FBGA （采用8mm x 10毫米）修订版F，G
•时间 - 周期时间
- 1.875ns @ CL = 7 （ DDR2-1066 ）
- 为2.5ns @ CL = 5 （ DDR2-800 ）
- 为2.5ns @ CL = 6 （ DDR2-800 ）
- 3.0ns @ CL = 4 （ DDR2-667 ）
- 3.0ns @ CL = 5 （ DDR2-667 ）
- 3.75ns @ CL = 4 （ DDR2-533 ）
•自刷新
•标准
- 低功耗
•工作温度
- 商用（0°C
≤
T
C
≤
+85°C)
- 工业（ -40°C
≤
T
C
≤
+95°C;
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C)
- 汽车（ -40°C
≤
T
C
, T
A
≤
+105°C)
•修订
注意：
记号
128M4
64M8
32M16
HR
CF
HW
JN
-187E
-25E
-25
-3E
-3
-37E
无
L
无
IT
AT
： F / ：摹
上市可以合并为1。不是所有的选项
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为
产品和可用性。
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