512MB : X4,X8 , X16 DDR2 SDRAM
特点
DDR2 SDRAM
MT47H128M4 - 梅格32 ×4× 4银行
MT47H64M8 - 梅格16 ×8× 4银行
MT47H32M16 - 8梅格×16× 4银行
特点
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V
DD
= +1.8V ±0.1V, V
DDQ
= +1.8V ±0.1V
JEDEC标准的1.8V的I / O( SSTL_18兼容)
差分数据选通( DQS , DQS # )选项
4N位预取架构
对于X8重复输出选通( RDQS )选项
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
4个内部银行的并发操作
可编程CAS延迟( CL )
Posted CAS附加延迟( AL )
写延时=读延时 - 1
t
CK
可选突发长度: 4或8
可调节的数据输出驱动强度
64毫秒, 8192周期刷新
片上端接( ODT )
工业温度( IT)选项
汽车级温度( AT )的选择
符合RoHS标准
支持JEDEC的时钟抖动指标
选项
•
CON组fi guration
–
128梅格×4 ( 32兆×4× 4组)
–
梅格64 ×8( 16梅格×8× 4组)
–
梅格32 ×16 ( 8梅格×16× 4组)
•
FBGA封装(无铅) - X16
–
84球FBGA(采用8mm x12.5毫米)修订版F,G
•
FBGA封装(无铅) - X4,X8
–
60球FBGA(采用8mm x 10毫米)修订版F,G
•
FBGA封装(无铅焊料) - X16
–
84球FBGA(采用8mm x12.5毫米)修订版F,G
•
FBGA封装(无铅焊料) - X4,X8
–
60球FBGA(采用8mm x 10毫米)修订版F,G
•
时间 - 周期时间
–
1.875ns @ CL = 7 ( DDR2-1066 )
–
为2.5ns @ CL = 5 ( DDR2-800 )
–
为2.5ns @ CL = 6 ( DDR2-800 )
–
3.0ns @ CL = 4 ( DDR2-667 )
–
3.0ns @ CL = 5 ( DDR2-667 )
–
3.75ns @ CL = 4 ( DDR2-533 )
•
自刷新
–
标准
–
低功耗
•
工作温度
–
商用(0°C
≤
T
C
≤
85°C)
–
工业( -40°C
≤
T
C
≤
95°C;
–40°C
≤
T
A
≤
85°C)
–
汽车( -40°C
≤
T
C
, T
A
≤
105°C)
•
调整
注意:
记号
128M4
64M8
32M16
HR
CF
HW
JN
-187E
-25E
-25
-3E
-3
-37E
无
L
无
IT
AT
: F / :摹
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为
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512MbDDR2.pdf - 牧师 - [R 12/10 EN
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