2GB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
特点
DDR2 SDRAM
MT47H512M4 - 梅格64 ×4× 8银行
MT47H256M8 - 梅格32 ×8× 8银行
MT47H128M16 - 梅格16 ×16× 8银行
特点
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V
DD
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
4N位预取架构
对于X8重复输出选通（ RDQS ）选项
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
8个内部银行的并发操作
可编程CAS延迟（ CL ）
Posted CAS附加延迟（ AL ）
写延时=读延时 - 1
t
CK
可编程的突发长度： 4或8
可调节的数据输出驱动强度
64毫秒， 8192周期刷新
片上端接（ ODT ）
工业温度（ IT）选项
符合RoHS标准
支持JEDEC的时钟抖动指标
选项
1
•配置
- 512梅格×4 （ 64兆×4× 8银行）
- 梅格256 ×8（ 32梅格×8× 8银行）
- 梅格128 ×16 （ 16梅格×16× 8银行）
• FBGA封装（无铅） - X16
- 84球FBGA （ 11.5毫米X 14毫米）版本A
• FBGA封装（无铅） - X4，X8
- 60球FBGA （ 11.5毫米X 14毫米）版本A
• FBGA封装（无铅） - X16
- 84球FBGA （9毫米X 12.5毫米）版本C
• FBGA封装（无铅） - X4，X8
- 60球FBGA （9毫米X 11.5毫米）版本C
• FBGA封装（无铅焊锡） - X16
- 84球FBGA （9毫米X 12.5毫米）版本C
•时间 - 周期时间
- 1.875ns @ CL = 7 （ DDR2-1066 ）
- 为2.5ns @ CL = 5 （ DDR2-800 ）
- 为2.5ns @ CL = 6 （ DDR2-800 ）
- 3.0ns @ CL = 5 （ DDR2-667 ）
•自刷新
•标准
•工作温度
- 商用（ 0 ° （C T）
C
+85°C)
- 工业级（-40° （C T）
C
+95°C;
-40℃牛逼
A
+85°C)
•修订
注意：
记号
512M4
256M8
128M16
HG
HG
RT
EB
PK
-187E
-25E
-25
-3
无
无
IT
： A / ：C
上市可以合并为1。不是所有的选项
定义所提供的产品。使用部分
产品目录搜索
www.micron.com
为
产品和可用性。
PDF ： 09005aef824f87b6
2Gb_DDR2.pdf - 牧师ħ 10/11 EN
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