1GB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
特点
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 - 梅格32 ×4× 8银行
MT47H128M8 - 梅格16 ×8× 8银行
MT47H64M16 - 8梅格×16× 8银行
特点
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V
DD
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
4N位预取架构
对于X8重复输出选通（ RDQS ）选项
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
8个内部银行的并发操作
可编程CAS延迟（ CL ）
Posted CAS附加延迟（ AL ）
写延时=读延时 - 1
t
CK
可选的突发长度（ BL ） ： 4或8
可调节的数据输出驱动强度
64毫秒， 8192周期刷新
片上端接（ ODT ）
工业温度（ IT）选项
汽车级温度（ AT ）的选择
符合RoHS标准
支持JEDEC的时钟抖动指标
选项
1
•配置
- 256梅格×4 （ 32兆×4× 8银行）
- 梅格128 ×8（ 16梅格×8× 8银行）
- 梅格64 ×16 （ 8梅格×16× 8银行）
• FBGA封装（无铅） - X16
- 84球FBGA （采用8mm x 12.5毫米）
• FBGA封装（无铅） - X4，X8
- 60球FBGA （8毫米X 10毫米）
• FBGA封装（无铅焊锡） - X16
- 84球FBGA （采用8mm x 12.5毫米）
• FBGA封装（无铅焊锡） - X4，X8
- 60球FBGA （8毫米X 10毫米）
•时间 - 周期时间
- 1.875ns @ CL = 7 （ DDR2-1066 ）
- 为2.5ns @ CL = 5 （ DDR2-800 ）
- 为2.5ns @ CL = 6 （ DDR2-800 ）
- 3.0ns @ CL = 5 （ DDR2-667 ）
•自刷新
•标准
- 低功耗
•工作温度
- 商用（ 0 ° （C T）
C
+85°C)
- 工业级（-40° （C T）
C
+95°C;
-40℃牛逼
A
+85°C)
- 汽车（ -40 ° （C T）
C
, T
A
+105°C)
•修订
注意：
记号
256M4
128M8
64M16
HR
CF
HW
JN
-187E
-25E
-25
-3
无
L
无
IT
AT
:H
上市可以合并为1。不是所有的选项
定义所提供的产品。使用部分
产品目录搜索
www.micron.com
为
产品和可用性。
PDF ： 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf - 牧师X 10/11 EN
1
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