1GB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
功能说明
功能说明
在DDR2 SDRAM采用的是双倍数据速率架构实现高速运转
化。双倍数据速率的体系结构本质上是具有4n预取结构，用
接口用于传输每时钟周期两个数据字的I / O的球。单一
读或写访问的DDR2 SDRAM有效地由一个单一的4N位宽，单的
在内部DRAM芯和四个相应的时钟周期的数据传输
正位宽，
在I / O的球的一半时钟周期的数据传输。
双向数据选通（DQS ， DQS ＃ ）被外部发送，与数据一起，对
在接收器中的数据采集使用。 DQS是由DDR2 SDRAM传输频闪
在读取和写入过程中的内存控制器。 DQS是边沿对齐用
数据读取和中心对齐与写入数据。在X16提供有两个数据
选通脉冲，一个用于低字节（ LDQS ， LDQS ＃）和一个用于高字节（ UDQS ， UDQS ＃）。
在DDR2 SDRAM工作在差分时钟（ CK和CK ＃ ） ; CK的交叉
要HIGH和CK ＃变低将被简称为CK的上升沿。 COM的
码（地址和控制信号）被登记在CK的每个正边沿。输入
数据被登记在DQS的两个边缘，而输出数据被引用到的两个边缘
DQS以及对照的两个边缘。
读取和写入访问的DDR2 SDRAM是迸发导向;存取开始在SE-
lected位置和持续的地点在编程设定的号码
序列。访问开始时的ACTIVATE命令的登记，这是
然后是读或写命令。地址位重合注册
与激活命令用于选择银行和行进行访问。该
地址位的READ或WRITE命令注册重合用来选择
银行和突发访问的起始列位置。
在DDR2 SDRAM提供了四个可编程或读或写突发长度
八个地点。 DDR2 SDRAM支持中断读八与另一一阵
读或八与其他写一个突发写入。自动预充电功能可以是
使能，以提供一个自定时行预充电的脉冲串的端部被启动，它将
访问。
与标准的DDR SDRAM ， DDR2 SDRAM的流水线，多组结构
实现并发操作，从而通过隐藏提供高，有效带宽
行预充电及激活时间。
自刷新模式设置，以及节电，省电模式。
所有的输入都是与SSTL_18 JEDEC标准兼容。所有的全驱动强度
输出SSTL_18兼容。
工业温度
工业温度（IT ）的选项，如果提供，有两个同时要求：
装置周围的环境温度不能比小于-40 ℃或更高
+ 85 ℃，与壳体温度不能低于-40 ℃或大于+ 95 ℃。 JE-
DEC规范要求的刷新率当T翻番
C
超过+ 85°C ;这也
需要使用高温自刷新选项。此外， ODT电阻
和输入/输出阻抗必须降低当T
C
为< 0 ° C或> + 85°C 。
PDF ： 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf - 牧师牛逼02/10 EN
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