1GB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
预充电
图66 ：数据输入时序
T0
CK ＃
CK
WL - tDQSS （ NOM ）
的DQ
DQS ＃
吨WPRE
DQ
DM
DI
吨DSH 1吨DSS 2
3
吨DQSL
吨DSH 1吨DSS 2
T1
T1n
T2
T2n
T3
T3n
T4
吨DQSH
吨WPST
数据转换
不在乎
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
（ MIN）的过程中，通常会发生
t
DQSS （MIN） 。
t
DSS（ MIN）的过程中，通常会发生
t
DQSS （MAX）。
随后DQS信号的上升必须对准内的时钟
t
DQSS 。
在T0发出写入命令。
对于x16 ， LDQS控制的低字节UDQS控制高字节。
与WL = 2 （ CL = 3 ， AL = 0 ） ，在T0发出写入命令。
t
DSH
预充电
预充电可以通过手动预充电命令，或由autopre-启动
充电与任何一个读或写命令一起使用。预充电会deacti-
VATE在一个特定的银行或开行的所有银行开行。预充电
操作示于前一个READ和WRITE操作的部分。
在手动充电命令中， A10输入确定是否一个或所有
银行将被预充电。在该情况下，只有一个存储体是被预充电，银行
地址输入确定的银行进行预充电。当所有银行都必须预
充电时，银行地址输入被视为“无关”。
一旦银行已经被预充电，它是在空闲状态中，并且必须先被激活
发出该银行的任何读或写命令。当一个单银行PRE-
充电命令发出后，
t
RP时序适用。当预充电（ ALL ）的COM
命令发出后，
t
RPA时序适用，无论银行数量开业。
PDF ： 09005aef821ae8bf
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