1GB ： X4，X8 ， X16 DDR2 SDRAM
ODT时序
MRS命令ODT的更新延迟
在正常的操作中，有效的终端电阻的值可以是
改变与EMRS set命令。
t
MOD （MAX），更新第r
TT
设置。
图81 ：时序MRS命令ODT更新延迟
T0
Ta0
Ta1
Ta2
Ta3
Ta4
Ta5
命令
EMRS1
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CK ＃
CK
ODT2
tAOFD
0ns
国内
R
TT
环境
旧的设置
未定义
TMOD
2
TIS
新的设置
表示在休息
时间尺度
注意事项：
1. LM的命令所指向的模式寄存器，从而更新信息中
电子病历（A6 ，A2） ，即R
TT
（标称值） 。
2.防止通道上的任何阻抗毛刺，下面的条件必须满足：
t
AOFD必须发出LM命令之前，必须满足; ODT必须保持低位运行
的整个持续时间
t
MOD窗口，直到
t
MOD满足。
图82 ： ODT定时主动或快速退出掉电模式
CK ＃
CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
TCK
总胆固醇
TCL
命令
有效
有效
有效
有效
有效
有效
有效
地址
有效
有效
有效
有效
有效
有效
有效
CKE
tAOND
ODT
tAOFD
R
TT
tAON （MIN）
tAON （MAX）中
tAOF （MAX）中
tAOF （MIN）
R
TT
未知
R
TT
On
不在乎
PDF ： 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf - 牧师牛逼02/10 EN
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