512MB ：梅格32 ×16 ， 16兆×32移动SDRAM
球说明
球说明
表3：
VFBGA球说明
90球VFBGA
J1
符号
CLK
TYPE
输入
描述
时钟： CLK由系统时钟驱动。所有SDRAM的输入信号
采样于CLK的上升沿。 CLK也递增
内部突发计数器和控制输出寄存器。
时钟使能： CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的
CLK信号。停用该时钟提供预充电POWER-
向下和自刷新操作（所有银行闲置） ，主动加电
向下（行活跃于任何一家银行） ，深掉电（所有银行
空闲） ，或时钟挂起操作（突发/访问正在进行中） 。
CKE是同步的，除了器件进入掉电后
和自刷新模式，在CKE变成异步的，直到
后退出同一模式。输入缓存器，其中包括CLK，
在掉电期间和自刷新模式禁用，
提供低待机功耗。
芯片选择： CS ＃启用（注册LOW ）和禁用
（注册HIGH ）命令解码器。所有的命令都
蒙面当CS ＃注册HIGH 。 CS＃为外部
在与多家银行系统，银行的选择。 CS ＃被认为是
的命令代码的一部分。
命令输入： RAS ＃ ， CAS ＃和WE＃ （连同CS ＃ ）定义
所输入的命令。
输入/输出面膜： DQM采样为高，是一个输入掩码
信号，用于写访问和输出使能信号进行读
访问。在写周期的输入数据被屏蔽。输出
缓冲区期间，放置在一个高阻抗状态（双时钟延迟）
读周期。对于X16 ， LDQM对应DQ0 - DQ7和
HDQM对应DQ8 - DQ16 。对于X32 ， DQM0
对应于DQ0 - DQ7 ， DQM1对应DQ8 - DQ15 ，
DQM2对应DQ16 - DQ23和DQM3对应
DQ24 - DQ31 。 DQM0-3 （或LDQM和HDQM如果X16 ）是
考虑相同的状态时，作为DQM引用。
银行地址输入（ S） ： BA0和BA1确定哪个银行
ACTIVE ， READ，WRITE或预充电命令正在
应用。 BA0和BA1成为“不关心”注册时，
所有银行预充电（ A10 HIGH ） 。
地址输入： A0 - A12在活动进行采样
命令（行地址A0 - A12）和读/写命令
[列地址A0 -A8 （ X32 ） ;列地址A0 -A9 （ X16 ） ;同
A10定义自动预充电]选择一个位置出来的
在各自的组存储器阵列。期间， A10采样
预充电命令，以确定是否所有银行都必须
预充电（ A10 HIGH）或银行通过选择BA0 ， BA1 。该
地址输入也期间负荷模式提供了操作码
注册命令。
H7是用于对LG ，减少页面大小，选项（参见上表1中
页面1 ） ;否则，数控离开。
54球VFBGA
F2
F3
J2
CKE
输入
G9
J8
CS ＃
输入
F7, F8, F9
E8 ， F1
J9 ，K7， K8
K9 ，K 1 ，F8， F2
CAS ＃ ，
RAS ＃ ， WE＃
DQM0–3,
LDQM ，
UDQM
输入
输入
G7, G8
J7 ， H8
BA0 ， BA1
输入
H7 ， H8 ， J8 ， J7 ，
J3 ，J2 ，H 3 ，H 2，
H 1 ，G 3， H9 ，G2
G1
G8 ， G9 ， F7 ， F3 ，
G1 ，G2，G3 ，H1
H 2， J 3 ， G7 ，H9，
H3
A0–A12
输入
–
H7
A13/NC
输入
PDF ： 09005aef81ca5de4 /来源： 09005aef81ca5e03
MT48H32M16LF_1.fm - 牧师ħ 6/07 EN
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