512MB ：梅格32 ×16 ， 16兆×32移动SDRAM
电气规格
表15：
I
DD
7规格和条件（ X16和X32 ）
注： 1-6 ， 8 ， 11 ， 13 ， 15 ， 27 ;注释出现在51-52页; V
DD
/V
DD
Q = 1.70-1.95V
参数/条件
自刷新
CKE =低;
t
CK -
t
CK （MIN） ;
地址和控制输入是稳定的;
数据总线输入是稳定的。
全阵列， 85°C
全阵列， 70℃
全阵列，45C
全阵列， 15℃
半阵， 85°C
半阵， 70℃
半阵， 45°C
半阵， 15℃
1/4阵列，85C
1/4阵列， 70℃
1/4阵列，45C
四分之一阵列， 15 ℃下
1/8阵列，85C
1/8阵列， 70℃
1/8阵列，45C
1/8阵列， 15 ℃下
1/16阵列，85C
1/16阵列， 70℃
1/16阵列，45C
1/16阵列， 15 ℃下
符号
我低
DD
7
选择“ L”
300
230
180
160
250
200
170
150
210
175
155
140
180
155
145
135
170
145
135
130
标准I
DD
7
选项
500
430
380
360
440
380
350
330
410
365
335
305
390
350
315
300
380
340
320
290
单位
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
笔记
I
DD
7a
I
DD
7b
I
DD
7c
I
DD
7d
I
DD
7a
I
DD
7b
I
DD
7c
I
DD
7d
I
DD
7a
I
DD
7b
I
DD
7c
I
DD
7d
I
DD
7a
I
DD
7b
I
DD
7c
I
DD
7d
I
DD
7a
I
DD
7b
I
DD
7c
I
DD
7d
图35：
典型的自刷新电流与温度的关系
250
全阵列
半阵
1/4阵列
1/8阵列
1/16阵列
200
当前
(µA)
150
100
50
0
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
温度（℃）
50
60
70
80
90
PDF ： 09005aef81ca5de4 /来源： 09005aef81ca5e03
MT48H32M16LF_1.fm - 牧师ħ 6/07 EN
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