512MB ：梅格32 ×16 ， 16兆×32移动SDRAM
概述
图1：
512MB移动SDRAM部分编号
动力
示例型号： MT48H16M32LFCM - 75IT ：一
-
MT48
V
DD
/
V
DD
Q
移动
CON组fi guration
包
速度
温度。调整
V
DD
/V
DD
Q
1.8V/1.8V
H
：一个设计版本
配置行大小选项
梅格32 ×16
梅格16 ×32
标准
标准
32M16LF
16M32LF
IT
工作温度。
广告
产业
梅格16 ×32精简页面大小16M32LG
动力
包
54球（ 10× 11.5 VFBGA ）无铅
90球（ 10 ×13 VFBGA ）无铅
CJ
CM
L
标准I
DD
2/I
DD
7
我低
DD
2/I
DD
7
速度等级
-75
-8
t
CK
t
CK
= 7.5ns
= 8.0ns
概述
美光
®
512MB移动SDRAM的高速CMOS ，动态随机存取
存储器含有536870912位。它在内部配置为四银行DRAM
具有同步接口（所有信号记录在时钟的上升沿
信号CLK ） 。每个x16的的134217728位的银行是由1K组织为8192的行
列由16位。每一个X32的134217728位银行的组织为8,192行了
512列由32位。在缩小页面大小选项，每个X32的134217728位的
银行组织为16,384行，256列X32位。
读取和写入访问到SDRAM是突发式;存取开始以选定
位置和持续的地点在编程设定的号码
序列。访问开始以积极的命令的登记，然后将其
其次是读或写命令。地址位注册暗合了
用于选择银行和行激活命令到被访问（ BA0 ， BA1选择
银行; A0 - A12选择行） 。注册暗合了读取的地址位
或写命令被用来选择突发存取的起始列的位置。
SDRAM中提供可编程的读或写脉冲串长度（BL）的1 ，2，4 ，或8个
与读位置突发终止选项。自动预充电功能可以是
使能，以提供一个自定时行预充电的脉冲串的端部被启动，它将
序列。
该512Mb的SDRAM采用内部流水线结构来实现高速能操作
通报BULLETIN 。此架构是与预取的架构中的2n规则兼容，但它
还允许将列地址到在每个时钟周期被改变，以实现高
速，完全随机访问。预充电一家银行，而访问其他三个中的一个
银行将隐藏预充电的周期，并提供无缝高速，随机
访问操作。
PDF ： 09005aef81ca5de4 /来源： 09005aef81ca5e03
MT48H32M16LF_1.fm - 牧师ħ 6/07 EN
5
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©2005美光科技公司保留所有权利。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
