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MT48H4M16LFB4-8ITH 参数 Datasheet PDF下载

MT48H4M16LFB4-8ITH图片预览
型号: MT48H4M16LFB4-8ITH
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内容描述: 移动SDRAM MT48H4M16LF â ???? 1梅格×16× 4银行 [Mobile SDRAM MT48H4M16LF – 1 Meg x 16 x 4 banks]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 62 页 / 2285 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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64MB : 4梅格×16移动SDRAM
特点
移动SDRAM
MT48H4M16LF - 1兆欧×16× 4银行
特点
• 1.70–1.95V
•完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
•内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
•内部银行隐藏行存取/预充电
•可编程突发长度: 1 , 2 , 4 , 8 ,或连续
页面
1
•自动预充电,同时包括自动预充电
•自刷新模式
• 64毫秒, 4096周期刷新
• LVTTL兼容的输入和输出
•部分阵列自刷新( PASR )省电模式
•片上温度补偿自刷新
( TCSR )
- 深度掉电( DPD )模式
•可编程输出驱动强度
•工作温度范围
商用(0 ° C至+ 70 ° C)
工业级(-40° C至+ 85°C )
注:1。对于连续页突发,联系工厂
可用性。
图1:
54球VFBGA球分配
( TOP VIEW )
2
DQ15
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
V
SS
3
V
SS
Q
4
5
6
7
V
DD
Q
8
DQ0
9
V
DD
DQ14
DQ13
V
DD
Q
V
SS
Q
DQ2
DQ1
DQ12
DQ11
V
SS
Q
V
DD
Q
DQ4
DQ3
DQ10
DQ9
V
DD
Q
V
SS
Q
DQ6
DQ5
DQ8
NC
V
SS
V
DD
LDQM
DQ7
UDQM
CLK
CKE
CAS #
RAS #
WE#
NC
A11
A9
BA0
BA1
CS #
A8
A7
A6
A0
A1
A10
V
SS
A5
A4
A3
A2
V
DD
顶视图
(球下)
表1:
地址表
4梅格×16
选项
• V
DD
/V
DD
Q
1.8V/1.8V
•配置
4梅格×16 ( 1兆×16× 4组)
•塑料“绿色”包装
54球VFBGA ,采用8mm x 8毫米
•时间(周期时间)
7.5ns @ CL = 3 ( 133兆赫)
为8ns @ CL = 3 ( 125兆赫)
•工作温度
商用(0 ° C至+ 70 ° C)
工业级(-40° C至+ 85°C )
•模具修改标志
记号
H
4M16
B4
-75
-8
IT
:H
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
1梅格×16× 4银行
4K
4K ( A0 -A11 )
4 ( BA0 , BA1 )
256 (A0–A7)
表2:
关键时序参数
CL = CAS ( READ )延迟
时钟频率(MHZ )
CL = 2
104
83
CL = 3
133
125
存取时间
CL = 2
8ns
8ns
CL = 3
6ns
6ns
速度
GRADE
-75
-8
PDF : 09005aef8237ed98 /来源: 09005aef8237ed68
64mb_x16_Mobile SDRAM_Y24L_1.fm - 版本C 10/07 EN
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