256MB ： 16梅格×16 ， 8梅格×32移动SDRAM
特点
移动SDRAM
MT48H16M16LF - 4梅格×16× 4银行
MT48H8M32LF - 2梅格×32× 4银行
特点
•完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
• V
DD
/V
DD
Q = 1.70-1.95V
•内部，流水线操作;可以列地址
可以改变每个时钟周期
•四个内部银行的并发操作
•可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或连续
页面
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•自动预充电，同时包括自动预充电
•自动刷新和自刷新模式
• LVTTL兼容的输入和输出
•片上温度传感器来控制刷新速率
•部分阵列自刷新（ PASR ）
•深度掉电（ DPD ）
•可选择的输出驱动器（ DS ）
• 64ms的刷新周期（ 8,192行）
表1：
地址
梅格16 ×16
4梅格×16× 4
银行
8K
8K （ A0 - A12 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
512 (A0–A8)
8梅格×32
2梅格×32× 4
银行
8K
4K （ A0 -A11 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
512 (A0–A8)
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
表2：
关键时序参数
CL = CAS （ READ ）延迟
时钟速率
（兆赫）
访问时间数据
速度
格局
级CL = 2 CL = 3 CL = 2 CL = 3时间
-75
-8
104
100
133
125
8ns
9ns
6ns
7ns
1.5ns
2.5ns
数据
HOLD
时间
1ns
1ns
选项
• V
DD
/V
DD
Q
–
1.8V/1.8V
•配置
–
梅格16 ×16 （ 4梅格×16× 4组）
–
8梅格×32 （ 2梅格×32× 4组）
•塑料“绿色”包装
–
54球VFBGA （采用8mm x 9毫米）
–
90球VFBGA （8毫米X 13毫米）
•时间 - 周期时间
–
7.5ns在CL = 3
–
为8ns在CL = 3
=电源
–
标准I
DD
2P/I
DD
7
–
我低
DD
2P/I
DD
7
•工作温度范围
–
商用（0 °C至+ 70 ° C）
–
工业级（-40° C至+ 85°C ）
•设计修改
记号
H
16M16
8M32
BF
B5
-75
-8
无
L
无
IT
:G
注：1。对于连续页突发，联系工厂
可用性。
PDF ： 09005aef8219eeeb /来源： 09005aef8219eedd
MT48H16M16LF__1.fm - F版4/07 EN
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