512MB : X4,X8 , X16 SDRAM
时序图
图48:
CLK
第三文化孩子
CKE
中药
命令
tCMH
NOP4
NOP4
NOP4
写
NOP
NOP
NOP
活跃
NOP
单写出来与自动预充电
T0
TCK
tCKH
T1
TCL
T2
总胆固醇
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
活跃
中药
DQM /
DQML , DQMH
TAS
A0–A9,
A11, A12
TAH
tCMH
ROW
M列
3
启用自动预充电
ROW
TAS
A10
TAH
ROW
ROW
TAS
BA0 , BA1
TAH
银行
银行
银行
TDS
DQ
tRCD3
tRAS的
TRC
TDH
D
IN
m
tWR的
2
激进党
不在乎
未定义
注意事项:
1.对于本实施例中,BL = 1,并且在写入脉冲串之后是“手动”预充电。
2. 14ns至15ns的要求<D之间
IN
m>
和预充电命令,不管频
昆西。
3. X16 : A11和A12 = “无关” ; X8 : A12 = “不在乎。 ”
4.写命令不许别人
t
RAS将受到侵犯。
PDF : 09005aef809bf8f3 /来源: 09005aef80818a4a
512MbSDRAM.fm - 牧师L 10/07 EN
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