64MB ： X32
SDRAM
COMMAND INHIBIT
该命令禁止功能可以防止新
从由SDRAM中正在执行的命令，重新
gardless的CLK信号是否被使能。该
SDRAM有效地取消。操作已
在进度不受影响。
无操作（ NOP ）
在无操作（ NOP ）命令用于
执行NOP到所选择的SDRAM （ CS ＃为
LOW ） 。这可以防止不必要的命令被
在空闲或等待状态注册。操作已
在进度不受影响。
加载模式寄存器
该模式寄存器通过输入A0 - A10加载。看
模式寄存器朝着寄存器定义节
化。加载模式寄存器命令只能
发行时，所有银行都闲着，随后
可执行命令无法发出，直至
t
MRD是
会见。
活跃
激活命令用来打开（或激活）
一排中的特定行以用于随后的访问。该
值的BA0和BA1输入选择银行，并
提供输入A0 - A10地址选择行。
该行仍处于活动状态（或打开）进行，直到访问
预充电命令发出的是银行。一
前开放必须发出预充电命令
荷兰国际集团在同一银行不同的行。
读
READ命令用于发起的突发读
访问活动行。在BA0和BA1价值
（B1）的输入选择该行，并且提供的地址
在输入A0 -A7选择起始列位置。
输入A10的值决定是否自动
PRECHARGE被使用。如果自动预充电被选择时，行
被访问时的结束将预充电
读突发;如果自动预充电没有被选择时，行
将继续开放供后续访问。读取数据
上出现的DQ受上的逻辑电平
DQM输入两个时钟更早。如果一个给定的DQMx信号
注册高电平时，相应的DQ将
高阻两个时钟周期后，如果DQMx信号是寄存器
羊羔低电平，相应的DQ将提供有效的
数据。 DQM0对应DQ0 - DQ7 ， DQM1 corre-
sponds到DQ8 - DQ15 ， DQM2对应DQ16-
DQ23和DQM3对应DQ24 - DQ31 。
写
WRITE命令用于启动一个字符组写
访问活动行。在BA0和BA1价值
输入选择该行，并设置在地址
输入A0 -A7选择起始列位置。该
值输入A10确定是否自动
PRECHARGE被使用。如果自动预充电被选择时，行
被访问时的结束将预充电
写突发;如果自动预充电没有被选择时，行
将继续开放供后续访问。输入数据
上出现的DQ被写入到存储器阵列
如有出现coinci-的DQM输入逻辑电平
凹痕的数据。如果一个给定的DQM信号被登记
低，相应的数据将被写入到存储器中;
如果DQM信号被登记高电平时，相应
荷兰国际集团的数据输入将被忽略，且写操作都不会
执行该字节/列位置。
预充电
预充电命令用于取消
打开行中的特定行或打开行中的所有
银行。该行（多个）将可用于随后
行存取指定的时间（
t
RP ）预充电后，
命令被发出。输入A10确定
一个或所有银行要被预充电，并且在所述壳体
其中只有一家银行将被预充电，输入BA0
和BA1选择银行。否则BA0和BA1是
被视为“不在乎。 ”一旦一家银行已经
预充电，它是在空闲状态中，并且必须被激活
发出来之前，任何读或写命令
那家银行。
自动预充电
自动预充电是一种功能，它执行
同一个人银行预充电函数说明
以上划线，而无需显式命令。
这是通过使用A10启用自动完成
预充电在与特定的READ或WRITE结合
命令。该行/列的预充电是AD-
穿着与读或写命令自动
的READ或完成时matically进行
写突发，除了在全页突发模式，其中
自动预充电不适用。自动预充电是非
执着于它启用或禁用对
每个单独的读或写命令。
自动预充电可以确保预充电是initi-
ated在一个脉冲串内的最早的有效阶段。用户
绝不能发出另一个命令在同一银行
直到预充电时间（
t
RP）的完成。这是
确定是否一个明确的预充电命令
在最早的时间内发出，描述
在该数据的操作部分中的每个脉冲串的类型
表。
64MB ： X32 SDRAM
64MSDRAMx32_5.p65 - 版本B ;酒馆。 6月2日
10
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
© 2002年，美光科技公司
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
