128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
COMMANDS
事实表1提供了可用的快速参考
命令。这之后的书面说明
每个命令。另外三个真值表出现
下面的操作部分;这些表提供
当前状态/下一状态的信息。
真值表1 - 命令和DQM操作
（注：1）
名称（功能）
COMMAND INHIBIT （ NOP ）
无操作（ NOP ）
ACTIVE （选择银行并激活行）
READ （选择银行和列，然后开始读突发）
WRITE （选择银行和列，然后开始写突发）
BURST TERMINATE
预充电（停用排在银行或银行）
自动刷新或自刷新
（进入自刷新模式）
加载模式寄存器
写使能/输出使能
写禁止/输出高阻
注意：
1.
2.
3.
4.
CS ＃ RAS ＃ CAS ＃ WE＃ DQM
H
L
L
L
L
L
L
L
L
–
–
X
H
L
H
H
H
L
L
L
–
–
X
H
H
L
L
H
H
L
L
–
–
X
H
H
H
L
L
L
H
L
–
–
X
X
X
L / H
8
L / H
8
X
X
X
X
L
H
ADDR
X
X
行/列
行/列
行/列
X
CODE
X
操作码
–
–
的DQ
X
X
X
X
有效
活跃
X
X
X
活跃
高-Z
笔记
3
4
4
5
6, 7
2
8
8
5.
6.
7.
8.
CKE是高的，除了自刷新显示的所有命令。
A0 -A11限定的操作码写入到模式寄存器。
A0 -A11提供行地址和BA0 ， BA1确定哪些银行被激活。
A0 -A9 ; A11 （ 4个） ; A0 -A9 （ X8 ） ;或A0 -A8 （ X16 ）提供列地址; A10 HIGH启用自动预充电功能
（非永久），而A10 LOW禁用自动预充电功能; BA0 ， BA1确定哪些银行正在读
从或写入。
A10低： BA0 ， BA1确定银行被预充电。 A10高：所有银行预充电和BA0 ， BA1是“不要
关心“ 。
此命令自动刷新，如果CKE为高电平时，自刷新，如果CKE为低。
内部的刷新计数器控制行寻址;所有的输入和I / O的“不关心” ，除了CKE 。
激活或写操作期间（零延迟时钟）停用DQS和读取（双时钟延迟） 。
128MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
128MSDRAM_E.p65 - 英文内容;酒馆。 1/02
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